[發明專利]一種金屬硅化物的制備方法、半導體器件、電子設備

在審

• 申請號: 202010427338.0
• 申請日: 2020-05-19
• 公開（公告）號: CN113690134A
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發明（設計）人: 金玄永;郭挑遠;徐康元;熊文娟;高建峰;楊濤;李俊峰;王文武
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285;H01L29/45;H01L29/78
• 代理公司: 北京知迪知識產權代理有限公司 11628
• 代理人: 王勝利

1.一種金屬硅化物的制備方法，其特征在于，包括：

提供硅襯底，所述硅襯底具有摻雜區；

在硅襯底上形成介電層，在所述介電層中形成接觸孔，所述接觸孔露出所述摻雜區；

在所述摻雜區上形成金屬層；

進行第一次熱處理；

在所述金屬層上形成含有硅元素的材料層；

進行第二次熱處理。

2.根據權利要求1所述的金屬硅化物的制備方法，其特征在于，在形成所述介電層之后、進行所述第一次熱處理之前，所述金屬硅化物的制備方法還包括：

在所述金屬層上形成保護層；

在進行所述第一次熱處理之后、形成所述含有硅元素的材料層之前，所述金屬硅化物的制備方法還包括：

去除所述保護層。

3.根據權利要求1或2所述的金屬硅化物的制備方法，其特征在于，在進行所述第二次熱處理之后，所述金屬硅化物的制備方法還包括：

去除所述含有硅元素的材料層。

4.根據權利要求1或2所述的金屬硅化物的制備方法，其特征在于，在進行所述第二次熱處理之前，所述含有硅元素的材料層的材料包括非晶硅。

5.根據權利要求1或2所述的金屬硅化物的制備方法，其特征在于，采用PVD、CVD、ALD、蒸鍍工藝中的一種形成所述含有硅元素的材料層。

6.根據權利要求1或2所述的金屬硅化物的制備方法，其特征在于，所述金屬硅化物為NiSi、TiSi₂、CoSi₂中的至少一種。

7.根據權利要求6所述的金屬硅化物的制備方法，其特征在于，形成所述含有硅元素的材料層的溫度，小于或等于所述第一次熱處理的溫度。

8.一種半導體器件，其特征在于，包括金屬硅化物，所述金屬硅化物由權利要求1-7任一項所述的金屬硅化物的制備方法制備得到。

9.一種電子設備，其特征在于，包括權利要求8所述的半導體器件。

10.根據權利要求9所述的電子設備，其特征在于，所述電子設備包括智能電話、計算機、平板電腦、可穿戴智能設備、人工智能設備、移動電源中的至少一種。