[發明專利]柔性光探測器及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 202010427160.X
• 申請日: 2020-05-19
• 公開（公告）號: CN111653667B
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發明（設計）人: 彭爭春;孫瑞;周桂港
• 申請（專利權）人: 深圳大學
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 黃志云

1.一種柔性光探測器，其特征在于，所述柔性光探測器包括柔性基底，結合在所述柔性基底表面的相對且彼此間隔設置的第一電極和第二電極，結合在所述第一電極和所述第二電極之間的所述柔性基底的表面的導電層；結合在所述第一電極、所述第二電極和所述導電層的背離所述柔性基底的表面的空穴傳輸層；結合在所述空穴傳輸層背離所述第一電極、所述第二電極和所述導電層的表面的鈣鈦礦層；結合在所述鈣鈦礦層背離所述空穴傳輸層的表面的絕緣層；其中，所述空穴傳輸層的材料具有親水基團，所述鈣鈦礦層的材料具有氨基。

2.根據權利要求1所述的柔性光探測器，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料選自聚-雙(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺；和/或，

所述絕緣層的材料選自聚甲基丙烯酸甲酯。

3.根據權利要求1所述的柔性光探測器，其特征在于，所述導電層的材料選自石墨烯。

4.根據權利要求3所述的柔性光探測器，其特征在于，所述石墨烯選擇層數為1～20層的石墨烯。

5.根據權利要求1～4任一所述的柔性光探測器，其特征在于，所述第一電極和第二電極的材料選自Cr/Au混合金屬電極。

6.根據權利要求1～4任一所述的柔性光探測器，其特征在于，在所述鈣鈦礦層遠離所述絕緣層的一側還結合有有機聚合物層，所述有機聚合物層的厚度為20～25nm。

7.根據權利要求1～4任一所述的柔性光探測器，其特征在于，所述鈣鈦礦層的厚度為280～300nm。

8.根據權利要求1～4任一所述的柔性光探測器，其特征在于，所述絕緣層的厚度為20～25nm。

9.一種柔性光探測器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供柔性基底，在柔性基底的表面制備第一電極和第二電極，并使第一電極和第二電極相對并間隔設置；

在所述第一電極和所述第二電極之間的所述柔性基底的表面制備導電層；

在所述第一電極、所述第二電極和所述導電層的背離所述柔性基底的表面制備空穴傳輸層；其中，所述空穴傳輸層的材料具有親水基團；

在所述空穴傳輸層背離所述第一電極、所述第二電極和所述導電層的表面制備鈣鈦礦層；其中，所述鈣鈦礦層的材料具有氨基；

在所述鈣鈦礦層背離所述空穴傳輸層的表面制備絕緣層，得到所述柔性光探測器。

10.一種柔性光探測器的應用，其特征在于，所述柔性光探測器應用于硅電子工業，其中，所述柔性光探測器是上述權利要求1～8任一所述的柔性光探測器或由權利要求9所述的柔性光探測器的制備方法制備得到。