[發明專利]一種LED及其制備方法在審
| 申請號： | 202010425033.6 | 申請日： | 2020-05-19 |
| 公開（公告）號： | CN111599900A | 公開（公告）日： | 2020-08-28 |
| 發明（設計）人： | 譚永勝;李秀東 | 申請（專利權）人： | 紹興文理學院 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 紹興市寅越專利代理事務所(普通合伙) 33285 | 代理人： | 鄧愛民 |
| 地址： | 312000 *** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 led 及其 制備 方法 | ||
1.一種LED，其特征在于：包括單晶硅襯底，所述單晶硅襯底上依次沉積有二氧化硅薄膜、鎳鉑合金薄膜、多層石墨烯薄膜、氮化鎵緩沖層、n型氮化鎵薄膜、InGaN/GaN多量子阱層、p型氮化鎵薄膜，所述p型氮化鎵薄膜和n型氮化鎵薄膜上設有金屬電極。
2.根據權利要求1所述的一種LED，其特征在于：所述二氧化硅薄膜的厚度為5nm-50nm。
3.根據權利要求1所述的一種LED，其特征在于：所述鎳鉑合金薄膜中鉑的含量為1％-50％。
4.根據權利要求1所述的一種LED，其特征在于：所述鎳鉑合金薄膜的厚度為10nm-300nm。
5.根據權利要求1所述的一種LED，其特征在于：所述多層石墨烯薄膜厚度小于5nm。
6.根據權利要求1所述的一種LED，其特征在于：所述p型氮化鎵薄膜與金屬電極之間生長一層透明導電薄膜。
7.根據權利要求1所述的一種LED，其特征在于：所述多層石墨烯薄膜及氮化鎵基薄膜濺射沉積溫度低于700℃。
8.一種LED的制備方法，其特征在于：包括如下步驟，
(1)在單晶硅襯底上采用熱氧化法沉積厚度為5nm-50nm的二氧化硅薄膜；
(2)在二氧化硅薄膜上沉積鉑的含量為1％-50％的鎳鉑合金薄膜；
(3)在鎳鉑合金薄膜上采用脈沖濺射法沉積厚度小于5nm的多層石墨烯薄膜；
(4)在多層石墨烯薄膜上采用脈沖濺射法依次沉積氮化鎵緩沖層、n型氮化鎵薄膜、InGaN/GaN多量子阱層、p型氮化鎵薄膜；
(5)在p型氮化鎵薄膜和n型氮化鎵薄膜上設置金屬電極。
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