[發明專利]一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 202010424833.6 | 申請日: | 2020-05-19 |
| 公開(公告)號: | CN111554697B | 公開(公告)日: | 2023-10-20 |
| 發明(設計)人: | 蘇同上;成軍;王慶賀;劉軍;杜生平;閆梁臣 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L23/427;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鵬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,所述顯示基板包括顯示區域和環繞所述顯示區域的外圍區域,所述外圍區域包括:基底,設置在所述基底上的柵極驅動結構層和吸熱層,所述柵極驅動結構層包括薄膜晶體管,所述吸熱層被配置為在達到預設溫度時吸熱發生從絕緣態至金屬態的可逆相變,在平行于所述基底的平面上,所述吸熱層的正投影與所述薄膜晶體管的正投影至少部分重合。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述薄膜晶體管包括有源層、源電極和漏電極,在平行于所述基底的平面上,所述有源層的正投影位于所述吸熱層的正投影內。
3.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板還包括與所述吸熱層通過導熱介質連接的散熱層,在平行于所述基底的平面上,所述散熱層的正投影至少部分位于所述薄膜晶體管的正投影外。
4.根據權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述外圍區域包括用于布設所述薄膜晶體管的柵極驅動區域和所述柵極驅動區域外的非柵極驅動區域,所述散熱層延伸到所述柵極驅動區域遠離所述顯示區域的一側。
5.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述外圍區域還包括覆蓋所述柵極驅動結構層的平坦層,所述吸熱層設置在所述平坦層遠離所述基底一側的表面。
6.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述外圍區域還包括設置在所述基底和所述柵極驅動結構層之間的緩沖層,所述吸熱層設置在所述基底和所述緩沖層之間。
7.根據權利要求1至6任一所述的顯示基板,其特征在于,所述吸熱層的材料包括二氧化釩。
8.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1~7任一所述的顯示基板。
9.一種顯示基板的制備方法,所述顯示基板包括顯示區域和外圍區域,所述制備方法包括:
在所述外圍區域的基底上形成柵極驅動結構層和吸熱層,所述柵極驅動結構層包括薄膜晶體管,所述吸熱層被配置為在預設溫度時吸熱發生從絕緣態至金屬態的可逆相變,在平行于所述基底的平面上,所述吸熱層的正投影與所述薄膜晶體管的正投影至少部分重合。
10.根據權利要求9所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述方法還包括,
形成散熱層,所述散熱層與所述吸熱層通過導熱介質連接,在平行于所述基底的平面上,所述散熱層的正投影至少部分位于所述薄膜晶體管的正投影外。
11.根據權利要求10所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述外圍區域包括用于布設所述薄膜晶體管的柵極驅動區域和所述柵極驅動區域外的非柵極驅動區域,所述散熱層延伸到所述柵極驅動區域遠離所述顯示區域的一側。
12.根據權利要求10或11所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,在所述外圍區域的基底上形成柵極驅動結構層和吸熱層包括:
在所述外圍區域的基底上形成所述柵極驅動結構層;
在所述柵極驅動結構層上形成平坦層;
在所述平坦層上形成所述吸熱層;
在所述吸熱層上涂布導熱膠,將所述散熱層通過所述導熱膠粘貼在所述吸熱層上。
13.根據權利要求10或11所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,在所述外圍區域的基底上形成柵極驅動結構層和吸熱層包括:
在所述外圍區域的基底上形成所述吸熱層,在所述吸熱層上涂布導熱膠,將所述散熱層通過所述導熱膠粘貼在所述吸熱層上;
在所述吸熱層和所述散熱層上形成緩沖層;
在所述緩沖層上形成所述柵極驅動結構層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





