[發明專利]陣列基板及其電學特性檢測方法

有效

• 申請號: 202010424762.X
• 申請日: 2020-05-19
• 公開（公告）號: CN111627889B
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發明（設計）人: 陳有山;趙瑜
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L27/32;H01L21/66;G01R31/26;G09G3/00
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 刁文魁

1.一種陣列基板，其特征在于，設有有效顯示區、非顯示區以及位于所述有效顯示區和所述非顯示區之間的測試元件組合檢測區；

在所述測試元件組合檢測區內包括多個檢測薄膜晶體管單元，所有所述檢測薄膜晶體管單元均設有有源層、源電極、漏電極以及柵極層，所有所述檢測薄膜晶體管單元的源電極通過一電源電壓走線相互電性連接，所有所述檢測薄膜晶體管單元的漏電極通過一陽極層相互電性連接，所有所述檢測薄膜晶體管單元的柵極層通過一復位信號走線相互電性連接；

其中，所述陣列基板還包括：

源極測試墊，與所述電源電壓走線電性連接；

漏極測試墊，與所述陽極層電性連接；以及

柵極測試墊，與所述復位信號走線電性連接；

所述檢測薄膜晶體管單元包括：

襯底基板；

緩沖層，位于所述襯底基板上；

所述有源層，位于所述緩沖層上，其包括溝道區和位于所述溝道區兩側的摻雜區；

第一柵極絕緣層，位于所述有源層上；

所述柵極層，位于所述第一柵極絕緣層上；

第二柵極絕緣層，位于所述柵極層上；

層間絕緣層，位于所述第二柵極絕緣層上；在對應所述摻雜區位置設有第一過孔，所述第一過孔貫穿所述第一柵極絕緣層、所述第二柵極絕緣層以及所述層間絕緣層；

源漏極金屬層，位于所述層間絕緣層上，所述源漏極金屬層設有所述源電極及所述漏電極，所述源電極及所述漏電極通過所述第一過孔與所述摻雜區電性連接；

平坦層，位于所述源漏極金屬層上；以及

像素定義層，位于所述平坦層上，設有多個像素定義槽；所述陽極層設于與所述漏電極對應設置的所述像素定義槽內且與所述漏電極電性連接。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，位于所述測試元件組合檢測區內的所述檢測薄膜晶體管單元與位于所述有效顯示區內的薄膜晶體管單元結構完全相同。

3.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

在對應所述摻雜區位置設有第二過孔，所述第二過孔貫穿所述第二柵極絕緣層以及所述層間絕緣層；

所述檢測薄膜晶體管單元的所述源漏極金屬層還包括：

柵極走線電極，位于所述源電極與所述漏電極之間，通過所述第二過孔與所述柵極層電性連接。

4.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述復位信號走線與所述源漏極金屬層同層設置，且通過第二過孔與所述柵極層電性連接。

5.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述電源電壓走線設于與所述源電極對應設置的所述像素定義槽內且與所述源電極電性連接；

所述復位信號走線設于與所述柵極層對應設置的所述像素定義槽內且與所述柵極層電性連接。

6.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述復位信號走線設于與所述柵極層對應設置的所述像素定義槽內且與所述柵極走線電極電性連接。

7.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述源極測試墊、所述漏極測試墊及所述柵極測試墊位于所述非顯示區內。

8.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層在連接所述漏電極一側延伸形成一摻雜區走線；所述摻雜區走線上設有多個隔斷部，用于將所述摻雜區走線分割為第一連接段以及第二連接段，所述第一連接段分別連接所述漏電極和所述有源層；在對應所述第二連接段的一端位置設有一第三過孔，所述第三過孔貫穿所述第一柵極絕緣層、所述第二柵極絕緣層以及所述層間絕緣層；所述復位信號走線通過所述第三過孔與所述第二連接段電性的一端電性連接，所述第二連接段電性的另一端通過一輔助走線與所述柵極層電性連接。

9.一種如權利要求1-8中任一項所述的陣列基板的電學特性檢測方法，在測試時在恒定的溫度環境下，向所述源極測試墊、所述漏極測試墊及所述柵極測試墊分別輸入恒定的源極電壓、漏極電壓及柵極電壓，量測電流隨時間變化的曲線。