[發(fā)明專利]一種氮化硅納米銀復(fù)合電沉積涂層及其制備方法與應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010424733.3
• 申請(qǐng)日: 2020-05-19
• 公開（公告）號(hào): CN111663166B
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張鵬;曹琳;王啟偉;李雙建;王永喆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 暨南大學(xué)
• 主分類號(hào): C25D15/00
• 分類號(hào): C25D15/00;C25D5/36;C25D5/38;B82Y30/00
• 代理公司: 廣州市華學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245
• 代理人: 饒周全

1.一種Si₃N₄納米銀復(fù)合電沉積涂層的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

（1）將陽(yáng)離子分散劑A與陽(yáng)離子分散劑B混合均勻，然后依次加入Si₃N₄粉和納米銀得到混合溶液；

（2）將步驟（1）所得混合溶液經(jīng)剪切分散得到納米懸浮液，然后調(diào)節(jié)pH至中性；

（3）將陰極和陽(yáng)極電極材料放入步驟（2）所得納米懸浮溶液中；并通入直流電，沉積得到Si₃N₄納米銀復(fù)合涂層；

其中步驟（1）所述陽(yáng)離子分散劑A為殼聚糖溶液，陽(yáng)離子分散劑B為十六烷基三甲基溴化銨、聚醚酰亞胺和烷基二甲基芐基氯化銨中的至少一種；所述陽(yáng)離子分散劑B與陽(yáng)離子分散劑A的質(zhì)量體積比為0.02g：20~25mL；

步驟（3）所述直流電的施加電壓范圍為10-60V，電流密度為0.01-0.5mA/cm²；

步驟（1）所述殼聚糖溶液的濃度為0.1%~0.4%wt。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：

步驟（1）所述混合溶液中Si₃N₄粉的濃度為10-20g/L，納米銀的濃度為1-2g/L。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟（1）所述混合溶液中Si₃N₄粉的粒徑為0.5~3微米；納米銀的粒徑為50-100 nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的方法，其特征在于：步驟（2）所述剪切分散在剪切分散機(jī)中進(jìn)行，剪切分散的條件為：剪切分散機(jī)轉(zhuǎn)速為300-500r/min，剪切分散5-10min后調(diào)整轉(zhuǎn)速1500-2000r/min，再剪切分散10-15min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟（3）所述陰極與陽(yáng)極在納米懸浮溶液中的間距為1-2cm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟（3）所述沉積時(shí)間為1-5min。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：步驟（3）所述陰極材料為鈦合金、純鈦或不銹鋼；所述陽(yáng)極材料為石墨或鉑片。

8.一種Si₃N₄納米銀復(fù)合電沉積涂層通過權(quán)利要求1~7任一項(xiàng)所述方法制備得到。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述Si₃N₄納米銀復(fù)合電沉積涂層在耐摩擦防腐蝕部件中的應(yīng)用。