[發(fā)明專利]一種高溫高Bs在審

申請?zhí)枺?/td>	202010424648.7	申請日：	2020-05-19
公開（公告）號：	CN111689770A	公開（公告）日：	2020-09-22
發(fā)明（設計）人：	顧張新;邢冰冰;李小龍;張強原;繆思敏;宋巖巖	申請（專利權）人：	天通控股股份有限公司
主分類號：	C04B35/38	分類號：	C04B35/38;C04B35/622;C04B35/64;H01F1/34;H01F1/36;H01F41/02
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	314412 浙江***	國省代碼：	浙江;33
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種高溫 base sub
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【說明書】：

本發(fā)明提供了一種高溫高B_s低損耗軟磁鐵氧體材料及其制備方法，鐵氧體材料由主成分和副成分組成，所述主成分以各自氧化物計算分別為Fe₂O₃：56.5 mol％～57.5mol％，ZnO：7.0 mol％～9.0mol％，NiO：3.5 mol％～5.0mol％，余量為MnO；所述副成分包括CaCO₃、Nb₂O₅、Li₂CO₃和MgO中的一種或幾種。其制備方法包括配料、混合、預燒、砂磨、造粒、成型、燒結。本發(fā)明主要選用高鐵配方，在主成分中添加NiO,并控制主成分、副成分的組成含量，特別是添加比磁化強度較高的Li₂CO₃、MgO添加劑以及采用低溫致密化燒結工藝，使軟磁鐵氧體材料同時具備高溫高B_s、低損耗的性能。

技術領域

本發(fā)明屬于軟磁鐵氧體材料技術領域，具體涉及一種高溫高B_s低損耗軟磁鐵氧體材料及其制備方法。

背景技術

隨著個人電腦、信息家電、汽車電子等的飛速發(fā)展，對電子器件提出了小型化、扁平化的要求。提高磁心高溫飽和磁通密度B_s，有利于縮小變換器體積，確保電子器件在高溫等復雜條件下正常運行。同時，材料的高溫功耗不宜過高，為避免功耗帶來的溫升急劇增加，要求功耗呈負溫度系數(shù)，并且功耗最低點的溫度要高于工作溫度，這樣電子器件在工作溫度工作都處于低損耗狀態(tài)，防止了功耗和功耗帶來的溫升之間的惡性循環(huán)。

近年來，高溫高B_s低損耗軟磁鐵氧體材料，已成為磁材業(yè)界關注的熱點。

在中國公開的專利CN101090017A 中，公開了一種高飽和磁通密度低損耗MnZn功率鐵氧體及其制備方法，該發(fā)明涉及一種高飽和磁通密度低損耗MnZn功率鐵氧體及其制備方法；該發(fā)明通過精確控制材料的成分和制備方法，研制出功耗谷點在90℃，在100kHz，200mT的條件下功耗小于等于260mW/cm³，在1000A/m，50Hz的條件下25℃的飽和磁通密度大于等于530mT，在1000A/m，50Hz的條件下100℃的飽和磁通密度大于等于420mT的MnZn功率鐵氧體。

在中國公開的專利CN102054552A中，公開了一種NiMnZn鐵氧體材料，由主成分和副成分組成，其特征在于：所述的主成分原料為：Fe₂O₃ 53.2～55.7mol%，ZnO 2～11mol％，NiO 0～2.5mol％但不包括0，余量為MnO；所述的副成分原料以主成分原料總重量計包括：SiO₂ 50～200ppm，CaCO₃ 200～1500ppm，ZrO₂ 50～500ppm，Nb₂O₅ 50～500ppm和Na₂O₅0～300ppm。該發(fā)明還提供了所述的NiMnZn鐵氧體材料的制備方法，其中燒結工序中在1000℃～1300℃的升溫階段升溫速率為4-7℃/分鐘，氧分壓濃度為0.2%以下；保溫溫度為1300-1350℃，燒結的時間為2-8個小時。該發(fā)明提供的鐵氧體磁心，在100℃下的飽和磁通密度在450mT以上，100℃下的損耗在320KW/m³以下。