[發明專利]RC IGBT器件及其制造方法在審
| 申請號： | 202010424607.8 | 申請日： | 2020-05-19 |
| 公開（公告）號： | CN111540678A | 公開（公告）日： | 2020-08-14 |
| 發明（設計）人： | 潘嘉;王雷;孔蔚然;楊繼業 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/331 | 分類號： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | rc igbt 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種RC IGBT器件的制造方法，其特征在于，至少包括以下步驟：
提供硅片；
對所述硅片的背面，進行第一次第一導電類型雜質離子注入；
在所述第一次第一導電類型雜質離子注入的區域內，進行第二導電類型雜質離子注入；
進行退火；使得所述第一次第一導電類型雜質離子注入的區域，退火形成場截止區，使得所述第二導電類型雜質離子注入的區域，退火形成第二導電類型摻雜區，所述第二導電類型摻雜區位于所述截止區中；
在所述截止區中，進行第二次第一導電類型雜質離子注入；
通過相間隔的退火激光，照射所述第二次第一導電類型雜質離子注入的區域，形成相間隔的第一導電類型摻雜區；
對硅片背面結構金屬化。
2.如權利要求1所述的RC IGBT器件的制造方法，其特征在于，所述第一次第一導電類型雜質離子注入的注入劑量為1E11至1E14個/cm2。
3.如權利要求1所述的RC IGBT器件的制造方法，其特征在于，所述第二次第一導電類型雜質離子注入的注入劑量為1E11至1E16個/cm2。
4.如權利要求1所述的RC IGBT器件的制造方法，其特征在于，所述第二導電類型雜質離子注入的注入劑量為1E11至1E14個/cm2。
5.如權利要求1所述的RC IGBT器件的制造方法，其特征在于，所述截止區的厚度為5～20um。
6.如權利要求1所述的RC IGBT器件的制造方法，其特征在于，所述第一導電類型摻雜區的厚度為1～5um。
7.如權利要求1所述的RC IGBT器件的制造方法，其特征在于，所述第二導電類型摻雜區的厚度為1～2um。
8.如權利要求1～7中任一條所述的RC IGBT器件的制造方法，其特征在于，所述第一導電類型為N型，第二導電類型為P型。
9.如權利要求1～7中任一條所述的RC IGBT器件的制造方法，其特征在于，所述第一導電類型為P型，第二導電類型為N型。
10.一種通過權利要求1～7中任一條所述的制造方法制造出的RC IGBT器件，其特征在于，所述RC IGBT器件包括：
硅片，所述硅片的背面形成截止區；在所述截止區的表面層中形成交替分布的第一導電類型摻雜區和第二導電類型摻雜區。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
