[發明專利]一種薄膜晶體管結構及顯示器件

在審

• 申請號: 202010424443.9
• 申請日: 2020-05-19
• 公開（公告）號: CN111584641A
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 胡迎賓;趙策;丁遠奎;倪柳松;宋威;王慶賀;李偉;閆梁臣
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12;H01L27/15;H01L27/32
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;張博

本公開實施例提供一種薄膜晶體管結構及顯示器件，包括：襯底；及形成于襯底之上的第一柵極層、第一柵絕緣層、第一有源層、第一源漏金屬圖形；第一源漏金屬圖形包括第一源極和第一漏極，第一源極和第一漏極在襯底上的正投影分別位于第一有源層的溝道在襯底上的正投影的相對兩端；第一有源層的溝道在襯底上的正投影呈曲線狀，自第一源極所在一端至第一漏極所在一端，第一有源層的溝道的曲線長度大于第一源極至第一漏極之間在平行于襯底方向上的最短直線距離。本公開實施例的薄膜晶體管結構及顯示器件，能夠在不改變有源層薄膜厚度的情況下，溝道區寬度變大，有效提升TFT離子遷移率，有效改善對應的有源層不良，亮度不均，L0發亮等不良。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種薄膜晶體管結構及顯示器件。

背景技術

高分辨率(8K)頂柵結構OLED產品，由于分辨率的提升，有源層(Active)圖案尺寸減小，且TFT(薄膜晶體管)為頂柵結構，有源層(Active)中的導體化部分較易向溝道區內擴散，故薄膜晶體管的閾值電壓(Vth)較難管控。為解決上述問題，在相關技術中，將有源層采用低功率高氧成膜工藝，且降低有源層薄膜厚度，從而盡量減少有源層氧空位數、降低薄膜致密性等，但是，這樣會導致有源層薄膜膜質較差，較易產生有源層不良(Active TargetMura)，且有源層較易受CVD(化學氣相沉積)干擾形成亮度不均不良，L0發亮(暗態發亮)等不良問題。

發明內容

本公開實施例提供了一種薄膜晶體管結構及顯示器件，溝道區寬度變大，有效提升TFT離子遷移率，有效改善對應的有源層不良，亮度不均，L0發亮等不良。

本公開實施例所提供的技術方案如下：

本公開實施例提供了一種薄膜晶體管結構，包括第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管包括：襯底；及形成于所述襯底之上的第一柵極層、第一柵絕緣層、第一有源層、第一源漏金屬圖形；其中，所述第一柵絕緣層位于所述第一柵極層和所述第一有源層之間；所述第一源漏金屬圖形包括第一源極和第一漏極，所述第一源極和所述第一漏極在所述襯底上的正投影分別位于所述第一有源層的溝道在所述襯底上的正投影的相對兩端；且所述第一有源層的溝道在所述襯底上的正投影至少部分呈曲線狀，自所述第一源極所在一端至所述第一漏極所在一端，所述第一有源層的溝道的曲線長度大于所述第一源極至所述第一漏極之間在平行于所述襯底方向上的最短直線距離。

示例性的，所述第一有源層的溝道在所述襯底基板上的正投影均為弧形曲線狀。

示例性的，所述第一有源層包括至少兩條溝道，每條溝道在所述襯底上的正投影均呈扇環形，且兩條溝道結構對稱，在所述襯底上的正投影組成中心具有第一中心孔的第一閉合環形，所述第一源極和所述第一漏極分別位于所述環形的相對兩側，所述第一柵極層包括第一柵極圖形，至少部分所述第一柵極圖形在所述襯底上正投影位于所述第一中心孔在所述襯底的投影內；

或者，所述第一有源層包括一條溝道，所述第一有源層的溝道在所述襯底上的正投影為第一扇環形，且所述第一扇環形為優弧或劣弧，所述第一柵極層包括第一柵極圖形，至少部分所述第一柵極圖形在所述襯底上正投影位于所述第一扇環形的環內區域在所述襯底的投影內；

或者，所述第一有源層包括半雙溝道，所述第一有源層的溝道在所述襯底上的正投影形狀包括第一扇環形，且所述第一扇環形為優弧，且所述第一扇環形的開口兩端通過直線狀溝道連接，所述第一柵極層包括第一柵極圖形，至少部分所述第一柵極圖形在所述襯底上正投影位于所述第一扇環形和所述直線狀溝道形成的環內區域內。

示例性的，所述第一柵極層還包括第一柵極圖形和第一走線圖形，所述第一柵極圖形與所述第一走線圖形連接，所述第一有源層包括第一區域和第二區域，所述第一走線圖形在所述襯底上的正投影與所述第一區域在所述襯底上的正投影完全重疊，所述第二區域與在所述襯底上的正投影與所述第一走線圖形在所述襯底上的正投影不重疊，所述第一有源層在所述第二區域為導體化有源層；