[發(fā)明專利]天線集成封裝方法及結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010424115.9
• 申請日: 2020-05-19
• 公開（公告）號: CN111446176B
• 公開（公告）日: 2022-03-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王全龍;曹立強(qiáng);陳峰
• 申請（專利權(quán)）人: 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: H01L21/52
• 分類號: H01L21/52;H01L21/56;H01L23/18;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/66;H01Q1/22;H01Q1/38
• 代理公司: 上海智晟知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31313
• 代理人: 張東梅

1.一種天線集成封裝方法，其特征在于，所述天線集成封裝方法包括：

制作低k介電與天線貼片集成模塊，所述低k介電與天線貼片集成模塊包括低k介電材料與天線貼片；

在第一載體上方放置器件管芯和所述低k介電與天線貼片集成模塊；

在成型材料中模制所述器件管芯和所述低k介電與天線貼片集成模塊，所述成型材料、所述器件管芯和所述低k介電與天線貼片集成模塊形成天線功能模塊；

將所述天線功能模塊從所述第一載體上取下，以暴露出天線功能模塊的第一平面；

在所述天線功能模塊的第一平面上形成信號走線層，所述信號走線層與所述器件管芯電連接；

減薄天線功能模塊的第二平面，所述天線功能模塊的第二平面與所述天線功能模塊的第一平面空間相對；

所述低k介電與天線貼片集成模塊、所述信號走線層與所述器件管芯構(gòu)成射頻信號傳播路徑；

所述制作低k介電與天線貼片集成模塊包括：

步驟一，形成低k介電材料層；

步驟二，平整低k介電材料層的第一平面；

步驟三，在所述低k介電材料層的第一平面上形成導(dǎo)電層；

步驟四，將所述導(dǎo)電層圖形化，形成多個所述天線貼片；

步驟五，切割所述低k介電材料層以形成多個所述低k介電與天線貼片集成模塊；

將所述步驟一至所述步驟四進(jìn)行一次或多次循環(huán)，后一次循環(huán)的形成的所述低k介電材料層覆蓋前一次循環(huán)形成的所述導(dǎo)電層上。

2.如權(quán)利要求1所述的天線集成封裝方法，其特征在于，所述器件管芯具有空間相對的頂部和底部，與所述器件管芯內(nèi)部電連接的電連接件位于所述器件管芯的頂部；

所述低k介電與天線貼片集成模塊具有空間相對的頂部和底部，所述天線貼片位于所述低k介電與天線貼片集成模塊的頂部；

所述器件管芯的頂部朝向所述第一載體放置，所述器件管芯的底部背靠所述第一載體；

所述低k介電與天線貼片集成模塊的底部朝向所述第一載體放置，所述低k介電與天線貼片集成模塊的頂部背靠所述第一載體。

3.如權(quán)利要求1所述的天線集成封裝方法，其特征在于，在成型材料中模制所述器件管芯和所述低k介電與天線貼片集成模塊包括：

采用壓縮成型工藝、轉(zhuǎn)移成型工藝、液體密封成型工藝、真空層壓工藝、或旋涂工藝形成所述成型材料，由所述成型材料填充所述器件管芯和所述低k介電與天線貼片集成模塊之間的間隙，并與所述第一載體接觸；

所述成型材料還完全覆蓋所述器件管芯及所述低k介電與天線貼片集成模塊的上方；

所述成型材料包括模塑料、成型底部填充物、環(huán)氧樹脂或樹脂；

所述成型材料的介電常數(shù)值大于所述低k介電材料的介電常數(shù)值。

4.如權(quán)利要求1所述的天線集成封裝方法，其特征在于，在所述天線功能模塊的第一平面上形成信號走線層包括：

采用旋涂工藝、化學(xué)氣相沉積工藝或物理氣相沉積工藝在所述天線功能模塊的第一平面上沉積形成介質(zhì)層，并對所述介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕形成圖形化的第一介質(zhì)層；

采用化學(xué)氣相沉積工藝、蒸鍍工藝、濺射工藝、電鍍工藝或化學(xué)鍍工藝于所述第一介質(zhì)層表面形成金屬層，并對所述金屬層進(jìn)行刻蝕形成圖形化的第一重布線層；

所述第一重布線層為信號走線層。

5.如權(quán)利要求4所述的天線集成封裝方法，其特征在于，所述天線集成封裝方法還包括：

在減薄天線功能模塊的第二平面后，在所述第一重布線層的底面形成焊球凸塊，將所述天線功能模塊進(jìn)行分割，形成各個器件管芯的封裝結(jié)構(gòu)；

所述焊球凸塊與所述第一重布線層電連接。

6.如權(quán)利要求1所述的天線集成封裝方法，其特征在于，減薄天線功能模塊的第二平面包括：

對所述天線功能模塊的第二平面進(jìn)行機(jī)械或化學(xué)平坦化，直至所述天線功能模塊的第二平面與所述天線貼片之間的距離為5微米～10微米。