[發明專利]等離子體處理方法及等離子體處理裝置

在審

• 申請號: 202010423589.1
• 申請日: 2020-05-19
• 公開（公告）號: CN112017937A
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 輿水地鹽;廣津信;池田武信;永海幸一;檜森慎司
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

本發明提供一種等離子體處理方法及等離子體處理裝置。一示例性實施方式所涉及的等離子體處理方法包括在等離子體處理裝置的腔室內的等離子體生成過程中的第一期間，向設置于腔室內的基板支撐器的下部電極施加第一直流電壓的工序。等離子體處理方法還包括在腔室內的等離子體生成過程中的與第一期間不同的第二期間向下部電極施加第二直流電壓的工序。第二直流電壓具有與第一直流電壓的電平不同的電平。第二直流電壓具有與第一直流電壓的極性相同的極性。

技術領域

本發明的示例性實施方式涉及一種等離子體處理方法及等離子體處理裝置。

背景技術

等離子體處理裝置用于對基板的等離子體進行處理。等離子體處理裝置具備腔室及基板保持電極。基板保持電極設置于腔室內。基板保持電極保持載置于該主表面上的基板。這種等離子體處理裝置中的一種記載于專利文獻1即日本專利特開2009-187975號公報。

專利文獻1中記載的等離子體處理裝置還具備高頻產生裝置及直流負脈沖產生裝置。高頻產生裝置對基板保持電極施加高頻電壓。專利文獻1中記載的等離子體處理裝置中，交替切換高頻電壓的接通與斷開。并且，專利文獻1中記載的等離子體處理裝置中，根據高頻電壓的接通與斷開的時間從直流負脈沖產生裝置向基板保持電極施加直流負脈沖電壓。專利文獻1中記載的等離子體處理裝置中，直流負脈沖電壓即負極性脈沖狀直流電壓施加到基板保持電極時供應到基板的離子的能量變得最大。直流負脈沖電壓未施加到基板時供應到基板的離子的能量變得最小。

發明內容

本發明提供一種能夠向基板供應具有在單極電平的直流電壓施加到基板支撐器的下部電極時的離子的能量與當下部電極的電位為接地電位時可得到的離子的能量之間的能量的離子的技術。

在一示例性實施方式中提供等離子體處理方法。等離子體處理方法包括在等離子體處理裝置的腔室內的等離子體生成過程中的第一期間，向設置于腔室內的基板支撐器的下部電極施加第一直流電壓的工序。等離子體處理方法還包括在腔室內的等離子體生成過程中的與第一期間不同的第二期間向下部電極施加第二直流電壓的工序。第二直流電壓具有與第一直流電壓的電平不同的電平。第二直流電壓具有與第一直流電壓的極性相同的極性。

根據一示例性實施方式，能夠向基板供應具有在單極電平的直流電壓施加到基板支撐器的下部電極時的離子的能量與當下部電極的電位為接地電位時可得到的離子的能量之間的能量的離子。

附圖說明

圖1是一示例性實施方式所涉及的等離子體處理方法的流程圖。

圖2是概略表示一示例性實施方式所涉及的等離子體處理裝置的圖。

圖3的(a)及圖3的(b)分別為表示圖2所示的等離子體處理裝置的電源裝置的結構的圖。

圖4是與圖1所示的等離子體處理方法相關的一例的時序圖。

圖5是與圖1所示的等離子體處理方法相關的其他例的時序圖。

圖6是其他示例性實施方式所涉及的等離子體處理方法的流程圖。

圖7是概略表示其他示例性實施方式所涉及的等離子體處理裝置的圖。

圖8是與圖6所示的等離子體處理方法相關的一例的時序圖。

圖9是表示1個以上電位測量探針的例子的圖。

圖10是另一其他示例性實施方式所涉及的等離子體處理方法的流程圖。

圖11是與圖10所示的等離子體處理方法相關的一例的時序圖。

具體實施方式

以下對各種示例性實施方式進行說明。