[發明專利]探測器及其制作方法、探測裝置

在審

• 申請號: 202010423477.6
• 申請日: 2020-05-19
• 公開（公告）號: CN111668337A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 李雪飛;陸書龍;吳淵淵;龍軍華
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L31/101
• 分類號: H01L31/101;H01L31/18;H01L25/07
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;武岑飛

1.一種探測器，其特征在于，包括：探測芯片、溫度傳感器件、電絕緣層；所述電絕緣層設置于所述探測芯片的正表面上，所述溫度傳感器件設置于所述電絕緣層的背向所述正表面的表面上。

2.根據權利要求1所述的探測器，其特征在于，所述探測芯片包括：襯底、芯片主體；所述芯片主體設置于所述襯底的第一表面上，所述探測芯片的正表面是所述芯片主體的背向所述第一表面的表面。

3.根據權利要求1或2所述的探測器，其特征在于，所述溫度傳感器件在所述正表面上的正投影為第一正投影，所述電絕緣層在所述正表面上的正投影為第二正投影，所述第一正投影位于所述第二正投影以內。

4.根據權利要求1所述的探測器，其特征在于，所述電絕緣層是透明的。

5.根據權利要求1所述的探測器，其特征在于，所述溫度傳感器件呈梳指形狀、波浪形狀或者方波形狀。

6.一種探測裝置，其特征在于，包括：權利要求1至5任一項所述的探測器、讀取顯示器；所述讀取顯示器連接到所述探測器的溫度傳感器件，所述讀取顯示器用于讀取并顯示所述溫度傳感器件感測到的所述探測芯片的溫度。

7.一種探測器的制作方法，其特征在于，包括：

制作形成探測芯片；

在所述探測芯片的正表面上制作形成電絕緣層；

在所述電絕緣層的背向所述正表面的表面上制作形成溫度傳感器件。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，制作形成探測芯片包括：

提供一襯底；

在所述襯底的第一表面上形成芯片主體；

其中，所述探測芯片的正表面是所述芯片主體的背向所述第一表面的表面。

9.根據權利要求7或8所述的制作方法，其特征在于，將所述溫度傳感器件在所述正表面上的正投影設定為第一正投影，將所述電絕緣層在所述正表面上的正投影設定為第二正投影，所述第一正投影位于所述第二正投影以內。

10.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述電絕緣層是透明的，和/或，所述溫度傳感器件呈梳指形狀、波浪形狀或者方波形狀。