[發明專利]通過在整個沉積過程中改變晶片溫度來抑制界面反應

在審

• 申請號: 202010423093.4
• 申請日: 2017-08-09
• 公開（公告）號: CN111663120A
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 薩沙撒耶·瓦拉達拉簡;亞倫·R·費利斯;安德魯·約翰·邁凱洛;詹姆斯·塞繆爾·西姆斯;拉梅什·錢德拉塞卡拉;喬恩·亨利
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: C23C16/52
• 分類號: C23C16/52;C23C16/455;C23C16/50;C23C16/34;C23C16/458;C23C16/06;C23C16/26;C23C16/30;C23C16/54
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠;張靜

本發明涉及通過在整個沉積過程中改變晶片溫度來抑制界面反應。公開了用于在多站沉積裝置中沉積膜的方法和裝置以及系統。所述方法可以包括：(a)向所述裝置的第一站提供襯底，(b)將所述襯底的溫度調節至第一溫度，(c)當所述襯底在所述第一站中處于所述第一溫度下時，將材料的第一部分沉積在所述襯底上，(d)將所述襯底傳送到第二站，(e)將所述襯底的溫度調節至第二溫度，和(f)當所述襯底處于所述第二溫度下時，將所述材料的第二部分沉積在所述襯底上，使得所述第一部分和所述第二部分表現出不同的材料屬性值。所述裝置和系統可以包括多站沉積裝置以及具有用于執行(a)?(f)中的一個或多個的控制邏輯的控制器。

本申請是申請號為201710673939.8、申請日為2017年8月9日、發明名稱為“通過在整個沉積過程中改變晶片溫度來抑制界面反應”的發明專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及用于在多站沉積裝置中沉積膜的方法和裝置以及系統，更具體地涉及通過在整個沉積過程中改變晶片溫度來抑制界面反應。

背景技術

一些半導體制造工藝將一個或多個材料層沉積在半導體襯底或晶片上。集成電路制造商和設備設計者采用各種工藝和裝置布置來生產在材料沉積期間和之后均具有期望的屬性的膜。諸如化學氣相沉積室之類的材料沉積系統可以在不同的工藝條件下操作以控制沉積材料的整體性能。然而，限定生產具有滿足許多要求的屬性的膜的工藝條件仍然是一個挑戰。

發明內容

在一個實施方式中，可以提供一種在多站沉積裝置中將材料沉積到襯底上的方法。所述方法可以包括：(a)向所述多站沉積裝置的第一站提供襯底；(b)通過所述襯底和所述第一站中的基座之間的熱傳遞來將所述襯底的溫度調節至第一溫度；(c)在所述襯底在所述第一站中處于所述第一溫度下時，將所述材料的第一部分沉積在所述襯底上；(d)將所述襯底傳送到所述多站沉積裝置中的第二站；(e)通過所述襯底和所述第二站中的基座之間的熱傳遞來將所述襯底的溫度調節至第二溫度；以及(f)在所述襯底處于所述第二溫度下時，將所述材料的第二部分沉積在所述襯底上；所述第一部分和所述第二部分可以表現出所述材料的屬性的不同值。

在一些實施方式中，在所述襯底處于所述第一溫度下時將所述材料沉積在所述襯底上可以使所述材料的所述第一部分沉積成具有屬性的第一值的第一層，并且在所述襯底處于所述第二溫度下時使所述材料沉積在所述襯底上可以將所述材料的所述第二部分沉積成具有所述屬性的第二值的第二層。

在一些實施方式中，所述屬性可以是第一濕式蝕刻速率、第一組成和第一密度。

在一些實施方式中，(b)可以包括使用所述第一站的基座中的加熱元件將所述襯底的溫度調節至所述第一溫度，并且(e)可以包括使用所述第二站的基座中的加熱元件將所述襯底的溫度調節至所述第二溫度。

在一些實施方式中，所述方法還可以包括：(g)在(f)之后，將所述襯底提供給所述多站沉積裝置的第三站；(h)通過所述襯底和所述第三站中的基座之間的熱傳遞將所述襯底的溫度調節至第三溫度；以及(i)在所述襯底處于所述第三溫度下時，將所述材料的第三部分沉積在所述襯底上。

在一些這樣的實施方式中，所述第三溫度可以是第一溫度、第二溫度、或者不是所述第一溫度或所述第二溫度的溫度。

在一些另外的這樣的實施方式中，所述方法還可以包括：(j)在(i)之后，將所述襯底提供給所述多站沉積裝置的第四站；(k)通過所述襯底和所述第四站中的基座之間的熱傳遞將所述襯底的溫度調節至第四溫度；以及(l)在所述襯底處于所述第四溫度下時，將所述材料的第四部分沉積在所述襯底上。

在一些另外的這樣的實施方式中，所述第四溫度可以是所述第一溫度、所述第二溫度、所述第三溫度、或者不是所述第一溫度、所述第二溫度或所述第三溫度的溫度。