[發明專利]一種超細線路制備裝置及其方法

在審

• 申請號: 202010422926.5
• 申請日: 2020-05-19
• 公開（公告）號: CN111586988A
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 張昱;劉強;崔成強;陳新
• 申請（專利權）人: 廣東工業大學
• 主分類號: H05K3/18
• 分類號: H05K3/18;H05K3/24;B22F3/105;B33Y10/00;B33Y30/00
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 戴濤

1.一種超細線路制備裝置，其特征在于：包括納米銅氣溶膠制備裝置和納米銅收集裝置，所述納米銅氣溶膠制備裝置通過管道與所述納米銅收集裝置連接，所述納米銅收集裝置包括外殼，所述外殼內部設有用于放置基板并接收所述納米銅氣溶膠制備裝置制備出的納米銅氣溶膠的XY移動平臺，以及用于對XY移動平臺上放置的基板進行光燒結的光學系統，所述外殼上設有抽真空裝置和出氣口，所述出氣口上設有第一單向排氣閥。

2.根據權利要求1所述的一種超細線路制備裝置，其特征在于：所述管道上設有單向閥，所述管道上還設有臨界孔，所述臨界孔與所述納米銅氣溶膠制備裝置之間的管道上還設有第二單向排氣閥。

3.根據權利要求1所述的一種超細線路制備裝置，其特征在于：所述光學系統包括光發生器、光隔離器、光控制器、光闌和反光鏡，所述光發生器位于所外殼的內壁，所述光隔離器、光控制器和光瀾依次疊放在所述光發生器上，所述反光鏡的位置滿足所述光發生器發出的光線經反光鏡反射后被所述XY移動平臺接收到。

4.根據權利要求3所述的一種超細線路制備裝置，其特征在于：所述光發生器為熱輻射光源、氣體放電光源、電致發光光源、紫外光源、紅外光源、非照明用的可見光源和激光光源中的一種或多種。

5.根據權利要求4所述的一種超細線路制備裝置，其特征在于：所述光發生器產生的光波長為0.1μm-300μm中的任一種，所述光發生器產生的光直徑為線路線寬的1.1倍。

6.根據權利要求1所述的一種超細線路制備裝置，其特征在于：所述納米銅氣溶膠制備裝置為化學氣相沉積裝置、電火花放電裝置或電弧放電裝置。

7.一種超細線路制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

S1.在XY移動平臺上放置待加工基板，將所需要的線路形狀輸入XY移動平臺，利用抽真空裝置將納米銅收集裝置中的空氣抽出；

S2.獲取光學系統的照射位置，調整光學系統的照射位置至線路加工的初始位置；

S3.啟動納米銅氣溶膠制備裝置，納米銅氣溶膠制備裝置產生的納米銅顆粒溶入惰性氣體形成納米銅氣溶膠，納米銅氣溶膠通過管道進入納米銅收集裝置；

S4.納米銅氣溶膠中的納米銅顆粒在基板上沉積后，打開光學系統和XY移動平臺，XY移動平臺根據步驟1中輸入的線路形狀帶動基板進行移動，光學系統對基板進行光燒結；

S5.光燒結完畢后，取出基板，將基板進行酸洗得到具有超細線路的電路基板。

8.根據權利要求7所述的一種超細線路制備方法，其特征在于：所述步驟S1中，所述基板為半導體基板、有機/無機薄膜類柔性基板或多孔基板。

9.根據權利要求7所述的一種超細線路制備方法，其特征在于：所述步驟S4中，納米銅顆粒在基板上沉積的厚度范圍為1nm-10mm。

10.根據權利要求9所述的一種超細線路制備方法，其特征在于：所述步驟S5中酸洗的溶液為稀硫酸、稀硝酸、雙氧水中的一種或多種。