[發明專利]一種用于提高光學薄膜光學性能的制備方法在審
| 申請號: | 202010422924.6 | 申請日: | 2020-05-19 |
| 公開(公告)號: | CN111485203A | 公開(公告)日: | 2020-08-04 |
| 發明(設計)人: | 郭春;孔明東 | 申請(專利權)人: | 中國科學院光電技術研究所 |
| 主分類號: | C23C14/30 | 分類號: | C23C14/30;C23C14/10;C23C14/08;C23C14/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 610209 *** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 提高 光學薄膜 光學 性能 制備 方法 | ||
1.一種用于提高光學薄膜光學性能的制備方法,其特征在于,具體步驟如下:
步驟(1)、將光學元件清洗干凈,然后放入真空鍍膜機;
步驟(2)、封閉真空室門,開始抽真空;控制鍍膜機內真空室的本底真空度小于1×10-3Pa;
步驟(3)、將光學元件加熱至設定溫度,并恒溫足夠長時間;
步驟(4)、采用物理氣相沉積技術制備膜層材料,直至膜層厚度達到設定值;
步驟(5)、采用高能離子束刻蝕技術對剛制備膜層進行在線處理,離子源工作偏壓60-130V,工作氣體流量10-30sccm,刻蝕時間60-400s;
步驟(6)、重復步驟(4)和步驟(5)直至光學薄膜制備完成;
步驟(7)、待真空室冷卻至室溫后取出鍍制好的光學薄膜元件。
2.根據權利要求1所述的一種用于提高光學薄膜光學性能的制備方法,其特征在于:所述的光學元件基底材料可以是常用的石英、微晶、K9和ULE玻璃,也可以是半導體和晶體材料。
3.根據權利要求1所述的一種用于提高光學薄膜光學性能的制備方法,其特征在于:所述的光學元件加溫溫度和恒溫時長與光學元件材質、尺寸、薄膜材料以及真空鍍膜技術選擇有關。
4.根據權利要求1所述的一種用于提高光學薄膜光學性能的制備方法,其特征在于:所述的光學薄膜膜層材料是氧化物或者氟化物,可選單質和兩種或者多種單質的混合膜層材料。
5.根據權利要求1所述的一種用于提高光學薄膜光學性能的制備方法,其特征在于:所述的高能粒子束刻蝕過程中工作氣體種類與膜層材料有關,當膜層材料為氧化物,則工作氣體選用氧氣;當膜層材料為氟化物,則工作氣體選用含氟的氣氛介質,包括氟氣、氟化硫、氟化氮或氟化碳。
6.根據權利要求1所述的一種用于提高光學薄膜光學性能的制備方法,其特征在于:所述的離子源可以是考夫曼(Kaufman)離子源、霍爾(Hall)離子源或者先進等離子體源(APS)。
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