[發明專利]一種用于低應力全介質光學薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 202010422923.1
• 申請日: 2020-05-19
• 公開（公告）號: CN111500985B
• 公開（公告）日: 2022-08-02
• 發明（設計）人: 郭春;孔明東
• 申請（專利權）人: 中國科學院光電技術研究所
• 主分類號: C23C14/22
• 分類號: C23C14/22;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/54
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于低應力全介質光學薄膜的制備方法，其特征在于，具體步驟如下：

對于口徑310mm，厚度35mm的微晶玻璃，首先將其清洗干凈，然后放入鍍膜機中的工件架上；封閉真空室門，開始抽真空；當鍍膜機內真空室的本底真空度小于1×10^-3Pa；將光學元件加熱至180度，并恒溫120分鐘；采用高能輔助沉積技術鍍制全介質高反膜，其總層數54層，總厚度6.7微米；膜層材料選用氧化鈦和氧化硅，鍍制參數：氧化鈦，沉積速率0.2nm/s，離子源工作偏壓120V，氧氣流量25sccm；氧化硅，沉積速率0.4nm/s，離子源工作偏壓140V，氧氣流量10sccm；光學薄膜制備后，待真空室冷卻至室溫，取出鍍制好的光學薄膜元件；采用光學干涉儀對鍍膜前后微晶玻璃鍍膜面的反射面形進行檢測，試驗結果如下：鍍膜前，反射面形PV=0.108λ，RMS=0.026λ，Power=0.017λ；鍍膜后，反射面形PV=0.114λ，RMS=0.021λ，Power=0.029λ，λ=632.8nm；通過分析確定該方法制備的全介質高反膜的應力為1.65MPa，由應力引起的微晶玻璃的反射面形RMS變化量為0.005λ；

或者，

對于口徑60mm，厚度6mm的石英玻璃，首先將其清洗干凈，然后放入鍍膜機中的工件架上；封閉真空室門，開始抽真空；當鍍膜機內真空室的本底真空度小于1×10^-3Pa；將光學元件加熱至180度，并恒溫120分鐘；采用高能輔助沉積技術鍍制全介質分光膜，其總層數26層，總厚度4.8微米；膜層材料選用氧化鈦和氧化硅，鍍制參數：氧化鈦，沉積速率0.2nm/s，離子源工作偏壓120V，氧氣流量25sccm；氧化硅，沉積速率0.4nm/s，離子源工作偏壓140V，氧氣流量10sccm；光學薄膜制備后，待真空室冷卻至室溫，取出鍍制好的光學薄膜元件；采用光學干涉儀對鍍膜前后石英玻璃鍍膜面的反射面形進行檢測，試驗結果如下：鍍膜前，反射面形PV=0.074λ，RMS=0.013λ，Power=-0.014λ；鍍膜后，反射面形PV=0.056λ，RMS=0.009λ，Power=-0.009λ，λ=632.8nm；通過分析確定該方法制備的全介質分光膜的應力為0.74MPa，由應力引起的石英玻璃的反射面形RMS變化量為0.004λ。