[發(fā)明專利]一種應(yīng)用在半導(dǎo)體閥門的超純凈雙重冶煉配方

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010422609.3
• 申請日: 2020-05-19
• 公開（公告）號: CN111378903A
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王漢清
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇閥邦半導(dǎo)體材料科技有限公司
• 主分類號: C22C38/02
• 分類號: C22C38/02;C22C38/42;C22C38/44;C22C38/46;C22C38/58
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本發(fā)明公開了一種應(yīng)用在半導(dǎo)體閥門的超純凈雙重冶煉配方，按質(zhì)量比包括以下元素配方：C 0.01?0.02；Si 0.2?0.22；Mn 1.7?1.9；P 0.018?0.020；S 0.003?0.005；N 0.07?0.09；Ni 14.4?14.6；Cr 18.0?19.0；Mo 2.0?2.2；Cu 0.08?0.09；V 0.05?0.07。本發(fā)明的超純凈雙重冶煉配方，采用合理的數(shù)據(jù)范圍，這樣的潔凈鋼的基材，方便做電子級電解拋光(EP)處理，EP處理后有較佳的鎳鉻合金沉積，形成鎳鉻合金層，提高耐酸堿腐蝕能力，并在流道表面呈現(xiàn)較佳的拋光度，以便使粉塵堆積量降到最低，達(dá)到奈米級無塵環(huán)境使用標(biāo)準(zhǔn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及閥門冶煉配方，具體涉及一種應(yīng)用在半導(dǎo)體閥門的超純凈雙重冶煉配方。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體特殊氣體系統(tǒng)中通常使用ASTM SUS316L規(guī)范基材，鋼材在安裝使用之前必須經(jīng)過電子級的電解拋光處理(Elector Polish俗稱EP級處理)，以此來增加鍍鉻層的厚度。EP級處理可以改善表面粗度、改善凹陷度、增加氧化膜厚度和移除附著物。以便于在特殊氣體流經(jīng)管道時有較佳的強(qiáng)度、韌性及抗酸堿腐蝕的能力。

為了使半導(dǎo)體特殊氣體流經(jīng)管道系統(tǒng)時能夠保持最佳的潔凈度與安全性，所使用的鋼材必須是潔凈鋼的基材，以便在做電子級電解拋光(EP)處理時能夠有較佳的鎳鉻合金沉積，形成鎳鉻合金層，提高耐酸堿腐蝕能力，并在流道表面呈現(xiàn)較佳的拋光度，以便使粉塵堆積量降到最低，達(dá)到奈米級無塵環(huán)境使用標(biāo)準(zhǔn)。

一般的潔凈鋼基材，由于各組成配方數(shù)據(jù)有差異、元素有差異，平面機(jī)械拋光之后表面會存在微蝕孔，若認(rèn)為表面已經(jīng)很光滑，經(jīng)過電解拋光之后，腐蝕孔加劇，這樣的材料用在半導(dǎo)體閥門中，流道是不光滑的，管道容易污染。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述背景技術(shù)中的問題，本發(fā)明提供一種能夠滿足EP處理的應(yīng)用在半導(dǎo)體閥門的超純凈雙重冶煉配方。

本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種應(yīng)用在半導(dǎo)體閥門的超純凈雙重冶煉配方，按質(zhì)量比包括以下元素配方：

C 0.01-0.02；

Si 0.2-0.22；

Mn 1.7-1.9；

P 0.018-0.020；

S 0.003-0.005；

N 0.07-0.09；

Ni 14.4-14.6；

Cr 18.0-19.0；

Mo 2.0-2.2；

Cu 0.08-0.09；

V 0.05-0.07。

優(yōu)選的，按質(zhì)量比包括以下元素配方：

C 0.01；

Si 0.2；

Mn 1.7；

P 0.018；

S 0.003；

N 0.09；

Ni 14.6；

Cr 18.0；

Mo 2.0；

Cu 0.08；

V 0.05。