[發明專利]用于ESD保護的低功耗雙向SCR器件和靜電防護電路

有效

• 申請號: 202010422170.4
• 申請日: 2020-05-18
• 公開（公告）號: CN111599806B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: 高東興;杜飛波;侯飛
• 申請（專利權）人: 深圳市晶揚電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 王徑武

1.一種用于ESD保護的低功耗雙向SCR器件，其特征在于，其包括：

第一SCR器件，具有陽極、第一電極、門極以及陰極；以及

第二SCR器件，具有陽極、第二電極、門極以及陰極；

其中，所述第一SCR器件的陽極與所述第二SCR器件的陰極電連接；所述第一SCR器件的陰極與所述第二SCR器件的陽極電連接；第一SCR器件的第一電極與所述第二SCR器件的門極電連接；第一SCR器件的門極與所述第二SCR器件的第二電極電連接；所述第一電極與所述第二電極極性相同，且所述第一電極或所述第二電極與所述門極極性相反。

2.如權利要求1所述的用于ESD保護的低功耗雙向SCR器件，其特征在于，還包括：

襯底，兩個深埋層，第一金屬互聯線，第三金屬互聯線，第二金屬互聯線以及第四金屬互聯線；

兩個深埋層，形成于所述襯底之上，且兩個深埋層相互隔離設置；每個所述深埋層均設有第一摻雜類型深阱和第二摻雜類型深阱；

第一SCR器件，形成于一個所述深埋層，包括設于所在深埋層的第一摻雜類型深阱的第一重摻雜有源區和第二重摻雜有源區，設于第二摻雜類型深阱的第三重摻雜有源區和第四重摻雜有源區；所述第一重摻雜有源區與所述第一SCR器件的陽極連接，第二重摻雜有源區與所述第一SCR器件的第一電極連接，第三重摻雜有源區與所述第一SCR器件的門極連接，第四重摻雜有源區與所述第一SCR器件的陰極連接；

第二SCR器件，形成于另一個所述深埋層，包括設于所在深埋層的第一摻雜類型深阱的第五重摻雜有源區和第六重摻雜有源區，設于所在深埋層的第二摻雜類型深阱的第七重摻雜有源區和第八重摻雜有源區；所述第八重摻雜有源區與所述第二SCR器件的陰極連接，第七重摻雜有源區與所述第二SCR器件的門極連接，第六重摻雜有源區與所述第二SCR器件的第二電極連接，第五重摻雜有源區與所述第二SCR器件的陽極連接；

第一金屬互聯線，連接于所述第一SCR器件的第一重摻雜有源區與所述第二SCR器件的第八重摻雜有源區之間；

第二金屬互聯線，連接于所述第一SCR器件的第四重摻雜有源區與所述第二SCR器件的第五重摻雜有源區之間；

第三金屬互聯線，連接于所述第一SCR器件的第二重摻雜有源區與所述第二SCR器件的第七重摻雜有源區之間；

第四金屬互聯線，連接于所述第一SCR器件的第三重摻雜有源區與所述第二SCR器件的第六重摻雜有源區之間。

3.如權利要求2所述的用于ESD保護的低功耗雙向SCR器件，其特征在于，

第一摻雜類型深阱為N阱，第二摻雜類型深阱為P阱；

所述第一SCR器件的第一重摻雜有源區為P+型摻雜區，第二重摻雜有源區為N+型摻雜區，第三重摻雜有源區為P+型摻雜區，第四重摻雜有源區為N+型摻雜區；

所述第二SCR器件的第五重摻雜有源區為P+型摻雜區，第六重摻雜有源區為N+型摻雜區，第七重摻雜有源區為P+型摻雜區，第八重摻雜有源區為N+型摻雜區。

4.如權利要求2所述的用于ESD保護的低功耗雙向SCR器件，其特征在于，所述襯底為P型襯底，兩個所述深埋層均設置為深N阱。

5.如權利要求2所述的用于ESD保護的低功耗雙向SCR器件，其特征在于，所述襯底為N型襯底，兩個所述深埋層均設置為深P阱。

6.如權利要求4或5所述的用于ESD保護的低功耗雙向SCR器件，其特征在于，兩個所述深埋層沿第一方向排列，所述第一SCR器件中的第一重摻雜有源區、第二重摻雜有源區、第三重摻雜有源區和第四重摻雜有源區沿所述第一方向依次排列，所述第二SCR器件中的第八重摻雜有源區、第七重摻雜有源區、第六重摻雜有源區和第五重摻雜有源區沿所述第一方向依次排列。