[發明專利]一種平坦化方法

有效

• 申請號: 202010421861.2
• 申請日: 2020-05-18
• 公開（公告）號: CN111554576B
• 公開（公告）日: 2022-08-26
• 發明（設計）人: 金泰源;張月;楊濤;盧一泓
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L21/3105
• 分類號: H01L21/3105;H01L21/8242
• 代理公司: 北京知迪知識產權代理有限公司 11628
• 代理人: 王勝利

本發明公開一種平坦化方法，涉及半導體制造技術領域，以解決在平坦化過程中，由于研磨墊與多孔膜質之間的摩擦，在多孔膜質表面形成裂紋，降低產品良率的問題。該平坦化方法包括：提供一具有折疊部的基底，基底的表面具有位于折疊部的多孔膜質；去除多孔膜質，獲得形成在折疊部的凹陷；在基底表面形成修復材料；對基底進行平坦化。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種平坦化方法。

背景技術

在動態隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory，縮寫為DRAM)的制作過程中，因單元區域(Cell)形成有電容，使得單元區域(Cell)與核心區域(Peri)之間具有較高的段差。為了后續的圖案化工藝，需要在單元區域(Cell)和核心區域(Peri)沉積氧化物(Oxide)，以形成介質層，并采用化學機械研磨工藝(Chemical Mechanical Polishing，縮寫為CMP)對介質層進行平坦化。

然而，在單元區域(Cell)和核心區域(Peri)沉積氧化物(Oxide)后，由于單元區域(Cell)與核心區域(Peri)之間存在較高的段差，且存在階梯覆蓋差異問題，因此，在對應單元區域(Cell)和核心區域(Peri)的交界區域，氧化物層容易出現多孔膜質。在此基礎上，采用化學機械研磨(CMP)工藝對介質層進行平坦化的過程中，由于研磨墊與多孔膜質之間的摩擦，會在多孔膜質的表面產生裂紋，降低產品良率。即使在研磨頭與多孔膜質的研磨面加入研磨液，效果也并不理想。

發明內容

本發明的目的在于提供一種平坦化方法，以降低平坦化后介質層產生裂紋的可能性。

為了實現上述目的，本發明提供一種平坦化方法。該平坦化方法包括：提供一具有折疊部的基底，基底的表面具有位于折疊部的多孔膜質；去除多孔膜質，獲得形成在折疊部的凹陷；在基底表面形成覆蓋凹陷的修復材料；對基底進行平坦化。

優選地，去除多孔膜質，包括：采用刻蝕方式去除多孔膜質。

優選地，刻蝕方式包括：干法刻蝕和/或濕法刻蝕。

優選地，修復材料的致密性大于多孔膜質的致密性。

優選地，提供一具有折疊部的基底，包括：提供一表面具有裂紋的襯底；在襯底的非裂紋位置的表面形成介質層。

優選地，介質層位于襯底裂紋的一側。

優選地，介質層的厚度為

優選地，基底具有臺階狀表面，臺階狀表面包括高臺階部和低臺階部，折疊部位于低臺階部靠近高臺階部的位置。

優選地，高臺階部和低臺階部的高度差為

優選地，基底具有與高臺階部相應的單元區域以及與低臺階部相應的核心區域。

與現有技術相比，本發明提供的平坦化方法，由于基底的表面具有位于折疊部的多孔膜質，去除多孔膜質后，可在原來折疊部具有多孔膜質的位置形成凹陷。此時，相比于原來的折疊部的折疊程度，凹陷可以使得折疊部的折疊程度變得比較緩和，提升折疊部的階梯覆蓋特性。在此基礎上，在基底表面形成修復材料，可以確保修復材料形成的膜層致密性有所增加，使得后續平坦化基底時，降低基底表面形成裂紋的可能性。例如：當基底含有介質層時，該介質層具有折疊部，采用本發明提供的平坦化方法對介質層進行處理，可以有效降低介質層平坦化后產生裂紋的可能性。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本發明的一部分，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中：

圖1為現有技術中由于高段差引起的在介質層折疊部形成多孔膜質的示意圖；

圖2為現有技術中在多孔膜質表面經過平坦化形成裂紋的示意圖；