[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

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• 申請日: 2020-05-18
• 公開（公告）號: CN113690139A
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 遲帥杰;張海洋;崇二敏;田偉
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底；

位于襯底上的柵極結(jié)構(gòu)；

位于襯底上的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁；

位于介質(zhì)層內(nèi)的開口，所述開口沿垂直于柵極結(jié)構(gòu)延伸方向貫穿所述柵極結(jié)構(gòu)；

位于開口內(nèi)第一隔離層，所述第一隔離層頂部表面低于所述柵極結(jié)構(gòu)頂部表面。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一隔離層的材料包括介電材料，所述介電材料包括氮化硅。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：位于所述開口內(nèi)的第二隔離層，且所述第二隔離層位于第一隔離層上；所述第二隔離層的材料與所述第一隔離層的材料不同，所述第二隔離層的材料與介質(zhì)層的材料相同。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底包括基底和位于基底上的若干鰭部結(jié)構(gòu)；所述柵極結(jié)構(gòu)橫跨若干所述鰭部結(jié)構(gòu)；所述第一隔離層位于相鄰的鰭部結(jié)構(gòu)之間。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部結(jié)構(gòu)內(nèi)的源漏摻雜區(qū)；位于介質(zhì)層內(nèi)的金屬層，所述金屬層與柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)的源漏摻雜區(qū)電連接，且所述金屬層位于所述第一隔離層上。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬層與所述柵極結(jié)構(gòu)平行。

7.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在襯底上形成偽柵極結(jié)構(gòu)；

在襯底上形成介質(zhì)層，所述介質(zhì)層位于所述偽柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁，且所述介質(zhì)層暴露出所述偽柵極結(jié)構(gòu)頂部表面；

在介質(zhì)層內(nèi)形成開口，所述開口沿垂直于初始偽柵極結(jié)構(gòu)延伸方向貫穿所述偽柵極結(jié)構(gòu)；

在所述開口內(nèi)形成第一隔離層，所述第一隔離層頂部表面低于所述偽柵極結(jié)構(gòu)頂部表面。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一隔離層的材料包括介電材料，所述介電材料包括氮化硅。

9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一隔離層的形成方法包括：在開口內(nèi)形成第一隔離材料層；回刻蝕所述第一隔離材料層，直至暴露出所述偽柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁，使得所述第一隔離層的頂部表面低于所述偽柵極結(jié)構(gòu)頂部表面。

10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成第一隔離層之后，還包括：在所述第一隔離層上形成第二隔離層，所述第二隔離層位于所述開口內(nèi)；所述第二隔離層的材料與所述第一隔離層的材料不同，所述第二隔離層的材料與介質(zhì)層的材料相同。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二隔離層的材料包括介電材料，所述介電材料包括氧化硅。

12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述襯底包括基底和位于基底上的若干鰭部結(jié)構(gòu)；所述偽柵極結(jié)構(gòu)橫跨若干所述鰭部結(jié)構(gòu)。

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成偽柵極結(jié)構(gòu)之后，形成介質(zhì)層之前，還包括：在所述偽柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部結(jié)構(gòu)內(nèi)形成源漏摻雜區(qū)。

14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成第二隔離層之后，還包括：去除部分所述第二隔離層和介質(zhì)層，在介質(zhì)層內(nèi)形成凹槽，所述凹槽暴露出偽柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)的源漏摻雜區(qū)表面和第一隔離層表面；在凹槽內(nèi)形成金屬層，所述金屬層與偽柵極結(jié)構(gòu)一側(cè)的源漏摻雜區(qū)電連接。