[發明專利]一種硬X射線和光電子屏蔽復合材料有效
| 申請號： | 202010419641.6 | 申請日： | 2020-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN111554426B | 公開（公告）日： | 2022-03-25 |
| 發明（設計）人： | 朱小鋒;劉珉強;趙洪超;許獻國;周開明;王艷 | 申請（專利權）人： | 中國工程物理研究院電子工程研究所 |
| 主分類號： | G21F1/08 | 分類號： | G21F1/08;G21F1/12;C22C27/02 |
| 代理公司： | 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 唐邦英 |
| 地址： | 621000*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 射線 光電子 屏蔽 復合材料 | ||
1.一種硬X射線和光電子屏蔽復合材料，其特征在于，包括X射線屏蔽層和光電子屏蔽層，所述X射線屏蔽層的雙面或單面設置光電子屏蔽層，所述X射線屏蔽層采用高Z材料制成，所述光電子屏蔽層采用低Z材料制成；所述高Z材料為TaW合金，低Z材料為B4C；所述TaW合金采用增材制造技術制備；所述TaW合金的熱導率為47～52W/(m×K)，熱膨脹系數為4～6×10-6/K，抗拉強度Rm大于800Mpa，屈服強度Rp0.2大于800Mpa，伸長率A大于8%。
2.根據權利要求1所述的一種硬X射線和光電子屏蔽復合材料，其特征在于，所述X射線屏蔽層的厚度為0.3mm～1mm，所述光電子屏蔽層的厚度為50μm～200μm。
3.根據權利要求2所述的一種硬X射線和光電子屏蔽復合材料，其特征在于，所述X射線屏蔽層的厚度為0.5mm，所述光電子屏蔽層的厚度為100μm。
4.根據權利要求1所述的一種硬X射線和光電子屏蔽復合材料，其特征在于，所述TaW合金中W的質量分數為0%～12％，Ta的質量分數為88%～100%。
5.根據權利要求4所述的一種硬X射線和光電子屏蔽復合材料，其特征在于，所述TaW合金中W的質量分數為10～12％，Ta的質量分數為88～90%。
6.根據權利要求1所述的一種硬X射線和光電子屏蔽復合材料，其特征在于，所述B4C的熱導率為0.68～0.9W/(m×K)，熱膨脹系數為3.56×10-6/K（0～100℃）。
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