[發明專利]半導體裝置封裝及其制造方法

在審

• 申請號: 202010419630.8
• 申請日: 2020-05-18
• 公開（公告）號: CN112466820A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 陳瑭原;施孟鎧;李德章;唐心陸;洪志斌
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56;H01L25/07
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

本發明涉及一種半導體裝置封裝，其包含第一導電層、第二導電層和第三導電層。所述第一導電層具有第一間距。所述第二導電層具有第二間距并且布置在所述第一導電層的兩個不同的側面處。所述第三導電層具有第三間距并且安置在所述第一導電層和所述第二導電層上方。所述第三導電層電連接到所述第一導電層。所述第一間距小于所述第三間距，并且所述第三間距小于所述第二間距。

技術領域

除了別的之外，本發明涉及半導體裝置封裝及其制造方法。

背景技術

半導體裝置封裝可包含堆疊到彼此的一些半導體裝置。然而，晶片彎曲或高厚度可能不利地影響半導體裝置封裝的性能和效率。

發明內容

根據本公開的一些實例實施例，半導體裝置封裝包含第一導電層、第二導電層和第三導電層。第一導電層具有第一間距。第二導電層具有第二間距并且布置在第一導電層的兩個不同側面處。第三導電層具有第三間距并且安置在第一導電層和第二導電層上方。第三導電層電連接到第一導電層。第一間距小于第三間距，并且第三間距小于第二間距。

根據本公開的一些實例實施例，半導體裝置封裝包含第一導電層、第一介電層、第二導電層、第二介電層和第三導電層。第一介電層覆蓋第一導電層。第二導電層安置在第一介電層的兩個不同側面處。第三導電層安置在第一導電層和第二導電層上方。第二介電層覆蓋第一導電層、第一介電層、第二導電層和第三導電層的至少一部分。第一介電層的硬度大于第二介電層的硬度。

根據本公開的一些實例實施例，制造半導體裝置封裝的方法包含：提供載體；在載體上安置第一導電層；在載體上在第一導電層的不同側面處安置兩個第二導電層；在第一導電層和第二導電層上方安置第三導電層；以及將兩個裸片連接到第三導電層。

附圖說明

當結合附圖閱讀時，從以下詳細描述容易理解本發明的方面。應注意，各種特征可能并不按比例繪制。實際上，為了論述的清楚起見，可任意增大或減小各個特征的尺寸。

圖1是根據本發明的一些實施例的半導體裝置封裝的截面圖。

圖2是根據本發明的一些實施例的另一半導體裝置封裝的截面圖。

圖3是根據本發明的一些實施例的另一半導體裝置封裝的截面圖。

圖4A、圖4B、圖4C、圖4D、圖4E、圖4F、圖4G、圖4H、圖4I、圖4J和圖4K說明了根據本申請的一些實施例用于制造半導體裝置封裝的方法的各個階段。

圖5A、圖5B、圖5C、圖5D、圖5E、圖5F和圖5G說明根據本申請的一些實施例用于制造另一半導體裝置封裝的方法的各個階段。

貫穿圖式和詳細描述使用共同參考標號來指示相同或類似元件。根據以下結合附圖作出的詳細描述，本發明將更顯而易見。

具體實施方式

以下公開內容提供用于實施所提供的標的物的不同特征的許多不同實施例或實例。下文描述組件和布置的特定實例。當然，這些僅是實例且并不意圖是限制性的。在本發明中，在以下描述中對第一特征在第二特征之上或上的形成的參考可包含第一特征與第二特征直接接觸形成的實施例，并且還可包含額外特征可形成于第一特征與第二特征之間從而使得第一特征與第二特征可不直接接觸的實施例。另外，本發明可能在各種實例中重復參考數字和/或字母。此重復是出于簡單和清晰的目的，且本身并不規定所論述的各種實施例和/或配置之間的關系。

下文詳細論述本發明的實施例。然而，應了解，本發明提供了可在多種多樣的特定情境中實施的許多適用的概念。所論述的特定實施例僅僅是說明性的且并不限制本發明的范圍。

圖1是根據本發明的一些實施例的半導體裝置封裝1的截面圖。半導體裝置封裝1包含電子組件11a、11b和11c、互連層14，以及導電連接件14m，其可以沉積在襯底上。取決于特定應用，襯底可以是柔性襯底或剛性襯底。