[發(fā)明專利]低延時(shí)薄膜晶體管、陣列基板及顯示面板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010418772.2
• 申請(qǐng)日: 2020-05-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111628004A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林木楠;彭邦銀;金一坤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L29/08;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

1.一種低延時(shí)薄膜晶體管，其特征在于，包括柵極、設(shè)置于所述柵極一側(cè)的有源層，及設(shè)置于所述柵極上方的源極和漏極，所述源極和所述漏極分別與所述有源層連接；

其中，在垂直于所述有源層的方向上，至少部分所述漏極的正投影位于所述柵極的正投影之外。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低延時(shí)薄膜晶體管，其特征在于，所述漏極遠(yuǎn)離所述源極的一端在垂直于所述有源層的方向上的正投影位于所述柵極在垂直于所述有源層方向上的正投影之外。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低延時(shí)薄膜晶體管，其特征在于，所述漏極呈U型結(jié)構(gòu)，所述漏極包括連接部、以及分別由所述連接部?jī)啥搜由斐龅牡谝粋?cè)邊和第二側(cè)邊，所述源極設(shè)置于所述第一側(cè)邊與所述第二側(cè)邊之間，至少部分所述連接部在垂直于所述有源層的方向上正投影位于所述柵極在垂直于所述有源層方向上的正投影之外。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低延時(shí)薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層覆蓋所述源極與所述第一側(cè)邊之間的區(qū)域，且

所述有源層覆蓋所述源極與所述第二側(cè)邊之間的區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低延時(shí)薄膜晶體管，其特征在于，所述源極延伸至靠近所述連接部處。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低延時(shí)薄膜晶體管，其特征在于，還包括：

柵極絕緣層，設(shè)置于所述柵極上，所述有源層設(shè)置于所述柵極絕緣層上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低延時(shí)薄膜晶體管，其特征在于，還包括：

柵極絕緣層，設(shè)于所述有源層上，所述柵極設(shè)于所述柵極絕緣層上；及

層間絕緣層，設(shè)于所述柵極絕緣層上并覆蓋所述柵極；所述源極和所述漏極分別穿過(guò)所述層間絕緣層與所述有源層的電性連接。

8.一種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的低延時(shí)薄膜晶體管，所述陣列基板包括襯底基板、以及呈陣列分布于所述襯底基板上的多個(gè)像素單元，任一所述像素單元至少包括主像素電極、次像素電極、與所述主像素電極電連接的第一薄膜晶體管、及與所述次像素電極電連接的第二薄膜晶體管；

其中，所述第一薄膜晶體管和/或所述第二薄膜晶體管為所述低延時(shí)薄膜晶體管。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，還包括與所述第二薄膜晶體管連接的第三薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管為所述低延時(shí)薄膜晶體管。

10.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括彩膜基板和如權(quán)利要求8至9中任一項(xiàng)所述的陣列基板，所述彩膜基板與所述陣列基板之間設(shè)置有液晶層。