[發明專利]紅外焦平面探測器的芯片組件及其制備方法有效
| 申請號： | 202010418620.2 | 申請日： | 2020-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN111640803B | 公開（公告）日： | 2022-03-11 |
| 發明（設計）人： | 任秀娟;李春領;崔戈;寧提;亢喆;譚振;馬濤;李忠賀;張克 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十一研究所 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216;H01L31/101;H01L31/18 |
| 代理公司： | 工業和信息化部電子專利中心 11010 | 代理人： | 張然 |
| 地址： | 100015*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 紅外 平面 探測器 芯片 組件 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種紅外焦平面探測器的芯片組件的制備方法，其特征在于，包括：
將銻化銦芯片放入制膜設備的真空腔室的工件轉動系統上；
對所述真空腔室抽真空；
將所述工件轉動系統的轉速調整在每秒40至80轉之間；
將所述工件轉動系統的加熱溫度調整在0攝氏度至60攝氏度之間并持續預設時間段，所述預設時間段的時長在20分鐘至50分鐘之間；采用熱蒸發方法、電子束蒸發方法、或濺射方法將一氧化硅薄膜制備于所述銻化銦芯片的背面；
所述一氧化硅薄膜的蒸發速率介于每秒10?至30?之間；
將設有一氧化硅薄膜的銻化銦芯片放入沸水中浸泡1分鐘；
將經過沸水浸泡后的設有一氧化硅薄膜的銻化銦芯片放入液氮中浸泡1分鐘后冷熱沖擊循環50次；
將經過冷熱沖擊循環50次后的設有一氧化硅薄膜的銻化銦芯片經過膠帶粘揭50次后，用顯微鏡50倍鏡檢，并判定無起泡、起皮現象的設有一氧化硅薄膜的銻化銦芯片為合格品。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
