[發明專利]一種納米線狀狄拉克半金屬砷化鎘及其制備方法

在審

• 申請號: 202010418570.8
• 申請日: 2020-05-18
• 公開（公告）號: CN111554567A
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發明（設計）人: 韋欣;陳巖;徐云;李健;宋國峰
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種納米線狀狄拉克半金屬砷化鎘的制備方法，其特征在于，包括：

將源物質置于指定氣體中進行加熱，使所述源物質蒸發，所述源物質包括砷化鎘；

將所述指定氣體的流速調整至預定流速，以通過所述指定氣體將蒸發出的所述源物質輸運到與所述源物質相距預定距離的襯底上；其中，所述襯底上覆蓋有多個相互分離的金顆粒，所述金顆粒通過在襯底上沉積預定厚度的金薄膜并進行退火后得到；所述金顆粒呈島狀，所述金顆粒的尺寸為亞微米或微米級別；

對所述源物質進行降溫，以使所述源物質在所述金顆粒上成核、結晶并生長，得到納米線狀狄拉克半金屬砷化鎘。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述指定氣體包括氮氣或氬氣。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，將所述源物質加熱至500℃～600℃，加熱時間為20min～60min。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述源物質為純度大于等于99％的砷化鎘固體粉末，所述源物質的用量為0.5g～1.0g。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述預定流速為20sccm～100sccm。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述預定距離為20cm～30cm。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述預定厚度為3nm～10nm。

8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，退火溫度為450℃～550℃，退火時間為25s～35s。

9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，得到的所述納米線狀狄拉克半金屬砷化鎘的直徑在25nm～50nm之間，長度在10μm～50μm之間。

10.一種納米線狀狄拉克半金屬砷化鎘，其特征在于，采用權利要求1-9中任一項所述的制備方法制備得到。