[發明專利]抗蝕劑底層組合物及使用此類組合物的圖案形成方法

在審

• 申請號: 202010418531.8
• 申請日: 2020-05-18
• 公開（公告）號: CN112015049A
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 崔莉;山田晉太郎;L-S·科;P·J·拉博姆;S·M·科萊;J·F·卡梅倫;張可人;J·凱茨
• 申請（專利權）人: 羅門哈斯電子材料有限責任公司
• 主分類號: G03F7/004
• 分類號: G03F7/004;G03F7/09;C08F212/08;C08F212/14;C08F8/00;C08G8/28;C08G8/04
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 錢文宇;陳哲鋒

1.一種抗蝕劑底層組合物，其包含：

聚合物，所述聚合物包含聚合物主鏈以及側接到所述聚合物主鏈的取代或未取代的富勒烯基團，以及

溶劑，其量基于總的抗蝕劑底層組合物為50至99.9重量％。

2.如權利要求1所述的抗蝕劑底層組合物，其中，所述聚合物是可自交聯的，其中所述可自交聯的聚合物是指能夠在不借助添加劑催化劑或交聯劑下經歷在其單元之間的交聯反應的聚合物。

3.如權利要求1或2所述的抗蝕劑底層組合物，其中，所述聚合物進一步包含側接到所述聚合物主鏈的芳基環丁烯基團。

4.如權利要求1至3中任一項所述的抗蝕劑底層組合物，其中，所述組合物不含添加劑交聯化合物。

5.如權利要求1至4中任一項所述的抗蝕劑底層組合物，其中，所述聚合物進一步包含鍵合至所述富勒烯基團并且鍵合至所述聚合物主鏈的連接基團。

6.如權利要求5所述的抗蝕劑底層組合物，其中，所述連接基團包含與所述富勒烯基團形成稠環的取代或未取代的C_3-20脂環族基團或C_2-20雜脂環族基團，以及稠合到所述C_3-20脂環族基團或所述C_2-20雜脂環族基團的C_6-20芳香族基團或C_3-20雜芳香族基團。

7.如權利要求1至6中任一項所述的抗蝕劑底層組合物，其中，所述聚合物包含取代或未取代的富勒烯與側接到前體聚合物主鏈的取代或未取代的芳基環丁烯基團的反應產物。

8.如權利要求1至7中任一項所述的抗蝕劑底層組合物，其中，所述連接基團由式1表示：

式1

其中，

R¹至R⁵各自獨立地是氫、氘、取代或未取代的C_1-20直鏈或支鏈的烷基、取代或未取代的C_6-20芳基、取代或未取代的C_7-20芳基烷基、取代或未取代的C_3-20雜芳基、取代或未取代的C_3-30雜芳基烷基、取代或未取代的C_3-30環烷基、取代或未取代的C_3-30雜環烷基、C_1-20烷氧基、羥基、-NH₂；-NRR'(其中R和R'獨立地是氫或C_1-20直鏈或支鏈的烷基)、異氰酸酯基團、鹵素、-ROR'(其中R是取代或未取代的C_1-20亞烷基并且R'是氫或C_1-20直鏈或支鏈的烷基)、-RC(＝O)X(其中R是取代或未取代的亞烷基并且X是鹵素)、-C(＝O)OR'(其中R'是氫或C_1-20直鏈或支鏈的烷基)、-OC(＝O)R'(其中R'是氫或C_1-20直鏈或支鏈的烷基)、-CN、-OC(＝O)NRR'(其中R和R'獨立地是氫或C_1-20直鏈或支鏈的烷基)、-S(＝O)R'(其中R'是氫或C_1-20直鏈或支鏈的烷基)、以及-S(＝O)₂R'(其中R'是氫或C_1-20直鏈或支鏈的烷基)，前提是每個R⁵不是氫，

選自R¹至R⁵的任何兩個相鄰基團任選地連接以形成環；

n1是0、1、2或3；

**指示與所述聚合物主鏈的直接或間接附接點；并且

*指示與所述富勒烯的附接點。