[發明專利]顯示裝置及顯示裝置的制造方法有效
| 申請號: | 202010418206.1 | 申請日: | 2017-02-24 |
| 公開(公告)號: | CN111627924B | 公開(公告)日: | 2023-05-16 |
| 發明(設計)人: | 劉同凱;謝朝樺;朱偉正;林俊賢;劉敏鉆;洪挺凱;李冠鋒;林明昌;顏子旻;王惠潔 | 申請(專利權)人: | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置的制造方法,其特征在于,包括:
提供基板,具有第一表面;
形成晶體管層于該基板的該第一表面上;及
形成圖案化各向異性導電層于該晶體管層上,其中該圖案化各向異性導電層包括多個各向異性導電區塊,
其中形成該圖案化各向異性導電層的步驟包括:
提供壓印模具,該壓印模具的主表面具有多個凸出部形成壓印圖案;
將該壓印模具的該主表面浸入各向異性導電溶液,以于該壓印模具的主表面的該些凸出部上形成各向異性導電涂層;
以該壓印模具對該晶體管層進行壓印制作工藝,以將該些凸出部上的該各向異性導電涂層轉印至該晶體管層上,并于該晶體管層上形成該圖案化各向異性導電層。
2.如權利要求1所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,其中該晶體管層上具有一或多個圖案化各向異性導電層預定涂布區,對應該圖案化各向異性導電層的圖案,且形成該圖案化各向異性導電層的步驟包括:
提供噴涂裝置,具有多個噴嘴朝向該晶體管層;
將一或多個該噴嘴對準該一或多個圖案化各向異性導電層預定涂布區;
以對準該一或多個圖案化各向異性導電層預定涂布區的一或多個該噴嘴,對該一或多個圖案化各向異性導電層預定涂布區涂布各向異性導電溶液,以形成該圖案化各向異性導電層。
3.如權利要求1所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,還包括:
提供拾取裝置,包括基板以及多個拾取單元,設于該基板上,其中每一拾取單元包括:
柵極電極,設于該基板上;
柵極介電層,設于該柵極電極上;
半導體層,設于該柵極介電層上且對應該柵極電極設置;
第一電極以及第二電極,該第一電極與該第二電極分別與該半導體層至少部分重疊,
絕緣層,設于該第一電極、該第二電極以及該半導體層上;及
第三電極,設于該絕緣層上,且電連接該第二電極。
4.如權利要求3所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,其中該晶體管層上包括多個次像素區,且每一次像素區具有兩個發光組件預定設置區,且該方法還包括:
提供一承載基板,其中該承載基板上設置有多個發光組件,且每一發光組件對應一個該發光組件預定設置區;
對該些發光組件進行測試;
以該拾取裝置選擇性拾取通過該測試的該些發光組件,并將通過該測試的該些發光組件設置于該晶體管層上對應的該些發光組件預定設置區。
5.如權利要求3所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,其中該晶體管層上包括多個次像素區,且每一次像素區具有一個發光組件預定設置區,且該方法還包括:
提供承載基板,其中該承載基板上設置有多個發光組件,且每一發光組件對應一個該發光組件預定設置區;
對該些發光組件進行測試;
以該拾取裝置選擇性拾取通過該測試的該些發光組件,并將通過該測試的該些發光組件設置于該晶體管層上對應的該些發光組件預定設置區,其中對應至未通過該測試的該些發光組件的該些發光組件預定設置區上未設置發光組件;
拾取通過該測試的另外一或多個發光組件,設置于對應至未通過該測試的該些發光組件的該些發光組件預定設置區。
6.如權利要求1所述的顯示裝置的制造方法,其特征在于,其中該晶體管層上包括至少一發光組件預定設置區,該方法還包括:
提供承載基板,其中該承載基板上設置有至少一發光組件,對應該發光組件預定設置區;
提供拾取裝置,其中該拾取裝置包括多個拾取單元,其中每一拾取單元包括校準單元以及連接該校準單元的拾取頭,其中該校準單元包括壓電材料;
以該拾取裝置的該拾取頭拾取該發光組件,并將其置于大致對應該發光組件預定設置區的位置;及
對該校準單元施加電壓,以改變該校準單元的尺寸,以移動或轉動該拾取頭及該發光組件使該發光組件對準該發光組件預定設置區。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





