[發(fā)明專利]電磁屏蔽結(jié)構(gòu)、電磁屏蔽結(jié)構(gòu)制作方法和電子產(chǎn)品

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010417736.4
• 申請(qǐng)日: 2020-05-18
• 公開（公告）號(hào): CN111554675A
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王順波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 甬矽電子(寧波)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/18
• 分類號(hào): H01L25/18;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/552
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 徐彥圣

1.一種電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括:

基板；

形成于所述基板上并沿垂直所述基板的方向延伸的槽狀屏蔽結(jié)構(gòu)；

設(shè)置于所述槽狀屏蔽結(jié)構(gòu)兩側(cè)的至少兩個(gè)芯片；

覆蓋于所述至少兩個(gè)芯片上的塑封體；

設(shè)置于所述塑封體遠(yuǎn)離基板一側(cè)、且包圍所述塑封體周側(cè)的屏蔽層；

所述槽狀屏蔽結(jié)構(gòu)貫穿于所述塑封體以及所述基板，所述屏蔽層通過(guò)所述槽狀屏蔽結(jié)構(gòu)與接地端電性連接，以使所述槽狀屏蔽結(jié)構(gòu)在所述至少兩個(gè)芯片之間形成電磁屏蔽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片的接地參考點(diǎn)通過(guò)打線與所述槽狀屏蔽結(jié)構(gòu)電性連接，以通過(guò)所述槽狀屏蔽結(jié)構(gòu)與所述接地端連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電磁屏蔽結(jié)構(gòu)還包括至少一個(gè)接地點(diǎn)，所述接地點(diǎn)設(shè)置于所述槽狀屏蔽結(jié)構(gòu)朝向所述芯片的一側(cè)，并與所述槽狀屏蔽結(jié)構(gòu)電性連接；

所述芯片的接地參考點(diǎn)通過(guò)打線與所述接地點(diǎn)電性連接，以通過(guò)所述接地點(diǎn)與所述槽狀屏蔽結(jié)構(gòu)電性連接，并通過(guò)所述槽狀屏蔽結(jié)構(gòu)與所述接地端連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述槽狀屏蔽結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電層以及應(yīng)力緩沖材料；

所述導(dǎo)電層為具有容置空間的槽狀結(jié)構(gòu)，所述屏蔽層通過(guò)所述導(dǎo)電層與所述接地端電性連接；

所述應(yīng)力緩沖材料填充于所述容置空間，所述應(yīng)力緩沖材料的熱膨脹系數(shù)小于或等于所述電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的熱膨脹系數(shù)。

5.一種電磁屏蔽結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基板，在所述基板上形成槽狀屏蔽結(jié)構(gòu)；

在所述槽狀屏蔽結(jié)構(gòu)的兩側(cè)分別貼裝至少兩個(gè)芯片；

通過(guò)塑封體對(duì)所述芯片進(jìn)行塑封，且在塑封后研磨所述塑封體，以使所述槽狀屏蔽結(jié)構(gòu)露出；

在所述塑封體遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)以及所述塑封體的周側(cè)設(shè)置屏蔽層；其中，所述屏蔽層通過(guò)所述槽狀屏蔽結(jié)構(gòu)與接地端電性連接，以使所述槽狀屏蔽結(jié)構(gòu)在所述至少兩個(gè)芯片之間形成電磁屏蔽。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于，所述提供一基板，在所述基板上形成槽狀屏蔽結(jié)構(gòu)的步驟包括：

提供一基板；

在所述基板的一側(cè)貼裝第一材料層，在所述基板遠(yuǎn)離所述第一材料層的一側(cè)貼裝第一金屬層；

在所述第一材料層的開槽區(qū)域挖槽，直至所述第一金屬層，以形成一溝槽；

在所述溝槽內(nèi)電鍍導(dǎo)電層，并在電鍍所述導(dǎo)電層之后，向所述溝槽內(nèi)填充應(yīng)力緩沖材料；

對(duì)設(shè)定區(qū)域進(jìn)行保護(hù)，對(duì)所述第一材料層以及所述第一金屬層進(jìn)行蝕刻，在所述基板上形成所述槽狀屏蔽結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于，在通過(guò)塑封體對(duì)所述芯片進(jìn)行塑封之前，所述方法還包括：

通過(guò)打線，將所述芯片的接地參考點(diǎn)與所述槽狀屏蔽結(jié)構(gòu)電性連接，以通過(guò)所述槽狀屏蔽結(jié)構(gòu)與所述接地端連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)制作方法，其特征在于，所述提供一基板，在所述基板上形成槽狀屏蔽結(jié)構(gòu)的步驟包括：

提供一基板；

在所述基板的一側(cè)貼裝第一材料層，在所述基板遠(yuǎn)離所述第一材料層的一側(cè)貼裝第一金屬層，在所述第一材料層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)貼裝第二金屬層，在所述第二金屬層遠(yuǎn)離所述第一材料層的一側(cè)貼裝第二材料層；

在所述第二材料層的開槽區(qū)域挖槽，直至所述第一金屬層，以形成溝槽；

在所述溝槽內(nèi)電鍍導(dǎo)電層，并在電鍍所述導(dǎo)電層之后，向所述溝槽內(nèi)填充應(yīng)力緩沖材料；

對(duì)設(shè)定區(qū)域進(jìn)行保護(hù)，對(duì)所述第二材料層、第二金屬層、所述第一材料層以及所述第一金屬層進(jìn)行蝕刻，在所述基板上形成具有接地點(diǎn)的槽狀屏蔽結(jié)構(gòu)。