[發明專利]一種先進節點后段金屬通孔的制造方法在審
| 申請號： | 202010417361.1 | 申請日： | 2020-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN111564409A | 公開（公告）日： | 2020-08-21 |
| 發明（設計）人： | 陳睿;都安彥;韋亞一;粟雅娟;楊紅;董立松;張利斌;蘇曉菁;王文武 | 申請（專利權）人： | 南京誠芯集成電路技術研究院有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 南京蘇博知識產權代理事務所(普通合伙) 32411 | 代理人： | 陳婧 |
| 地址： | 211899 江蘇省南京市浦口區*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 先進 節點 后段 金屬 制造 方法 | ||
1.一種先進節點后段金屬通孔的制造方法，其特征在于，包括：
通過自對準雙重成像或者大馬士革工藝制造第一金屬層；
再次通過所述自對準雙重成像或者所述大馬士革工藝制造第二金屬溝道；
將多個通孔進行合并后，利用負載效應進行刻蝕；
利用濕法清除蝕刻停止層，并對蓋層進行過刻蝕；
填充所述第二金屬溝道，完成通孔工藝。
2.如權利要求1所述的一種先進節點后段金屬通孔的制造方法，其特征在于，所述通過自對準雙重成像或者大馬士革工藝制造第一金屬層，包括：
根據獲取的光刻軸圖形刻蝕出芯軸后，對側墻進行沉積和刻蝕，并將所述芯軸移除后，在襯底上刻蝕出第一溝道，并填充第一金屬。
3.如權利要求1所述的一種先進節點后段金屬通孔的制造方法，其特征在于，所述通過自對準雙重成像或者大馬士革工藝制造第一金屬層后，所述方法還包括：
依次在所述襯底上沉積蓋層、蝕刻停止層和低k電介質層。
4.如權利要求3所述的一種先進節點后段金屬通孔的制造方法，其特征在于，再次通過所述自對準雙重成像或者所述大馬士革工藝制造第二金屬溝道，包括：
再次根據獲取的光刻軸圖形刻蝕出芯軸后，對側墻進行沉積和刻蝕，并將所述芯軸移除后，在所述低k電介質層上刻蝕出第二金屬溝道，得到第二金屬層，其中，所述第二金屬層位于所述第一金屬層上方。
5.如權利要求4所述的一種先進節點后段金屬通孔的制造方法，其特征在于，所述將多個通孔進行合并后，利用負載效應進行刻蝕，包括：
根據所述第一溝道尺寸，在第二金屬層上刻蝕出對應的通孔后，將多個所述通孔合并成一個矩形，并利用負載效應進行刻蝕，直到刻蝕到所述蝕刻停止層。
6.如權利要求5所述的一種先進節點后段金屬通孔的制造方法，其特征在于，利用濕法清除蝕刻停止層，并對蓋層進行過刻蝕，包括：
利用濕法清除聚合物和所述蝕刻停止層后，對所述蓋層進行過蝕刻，打開通孔，增大工藝窗口。
7.如權利要求6所述的一種先進節點后段金屬通孔的制造方法，其特征在于，填充所述第二金屬溝道，完成通孔工藝，包括：
利用大馬士革工藝對所述第二金屬溝道和所述通孔進行金屬填充，完成通孔制造。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
