[發明專利]含有三維存儲陣列的分布式模式處理器有效
| 申請號: | 202010416492.8 | 申請日: | 2017-03-07 |
| 公開(公告)號: | CN111384052B | 公開(公告)日: | 2022-09-27 |
| 發明(設計)人: | 張國飆 | 申請(專利權)人: | 杭州海存信息技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/105 | 分類號: | H01L27/105 |
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| 地址: | 310051*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 含有 三維 存儲 陣列 分布式 模式 處理器 | ||
分布式模式處理器含有多個存儲處理單元,每個單元都含有一個模式處理電路和至少一個三維存儲(3D?M)陣列。模式處理電路將輸入的第一模式與存儲在3D?M陣列中的第二模式進行模式匹配或模式識別。模式處理電路中的所有晶體管均位于一半導體襯底中;3D?M陣列中的所有存儲元均不位于任何半導體襯底中。通過采用大規模平行計算,分布式模式處理器能對大型模式庫實現快速模式處理。
本申請是申請號為201710130887.X、申請日為2017年3月7日的發明專利申請的分案申請。
技術領域
本發明涉及集成電路領域,更確切地說,涉及分布式模式處理器。
背景技術
模式匹配和模式識別指在目標模式(被檢索的模式,target pattern)中查找與檢索模式(用于檢索的模式,search pattern)相同或接近的模式。其中,模式匹配要求查找到相同的模式,模式識別僅要求查找到接近的模式。除了特別說明,本說明書不區分模式匹配和模式識別,并用模式處理來統稱各種對模式進行的操作。
模式處理(包括模式匹配和模式識別)應用廣泛。常用的模式處理包括字符串匹配、代碼匹配、語音識別和圖像識別等。字符串匹配廣泛用于大數據分析(如金融數據分析、電商數據分析、生物信息學)等領域:從大數據(目前多為文本數據庫,含有目標字符串)中查找檢索字符串,并進行統計分析。代碼匹配廣泛用于防惡意軟件(anti-malware,如網絡安全、計算機殺毒)等領域:從網絡數據包中查找病毒標識(virus signature)或檢查網絡數據包是否符合網絡規范(network rules),從而決定網絡數據包是否安全。語音識別將通過語音傳感器搜集到、或存儲在語音檔案庫中的語音信號與聲學模型庫和語言模型庫匹配。圖像識別將通過圖像傳感器搜集到、或存儲到圖像檔案庫中的圖像信號與圖像模型庫匹配。
隨著大數據時代的到來,傳統的模式庫(包括檢索模式庫和目標模式庫)已成為大型數據庫(TB級到PB級,甚至EB級):檢索模式庫(包括所有用于檢索的模式)的數據量已經很大,而目標模式庫(包括所有被檢索的模式,通常為用戶數據庫)的數據量則更為巨大。目前計算機采用的von Neumann架構已不能滿足大數據時代對模式處理的要求。在vonNeumann架構中,用于處理模式的處理器和用來存儲模式的存儲器是分離的:存儲器(如硬盤、光盤、磁帶等)僅用作存儲模式數據,而不能對它進行任何模式處理;所有的模式處理都由外置處理器(如CPU、GPU)來完成。眾所周知,分離的處理器和存儲器之間帶寬有限,光是從模式庫中讀出所有數據就需要數天時間,更何況對它們進行處理分析。因此,對大型模式庫的模式處理需要耗費很長時間。
發明內容
本發明的主要目的是對大型模式庫實現快速模式處理。
本發明的另一目的是提供一種既能大量存儲模式數據、又能對其進行快速模式處理的存儲器,而且該存儲器價格并不昂貴。
為了實現這些以及別的目的,本發明提出一種含有三維存儲(three-dimensionalmemory,簡稱為3D-M)陣列的分布式模式處理器:它不僅能存儲模式數據,還能對它實施模式處理。該處理器含有多個存儲處理單元,每個存儲處理單元都含有一個模式處理電路和至少一個存儲至少一模式(目標模式或檢索模式)的3D-M陣列。3D-M陣列與模式處理電路的垂直集成帶來很多優勢:由于3D-M陣列不占襯底面積,它可以集成在模式處理電路上,這能增加存儲容量、減少芯片面積。更重要的是,由于3D-M陣列和模式處理電路處于同一芯片中且距離很近,它們之間能實現一大帶寬電連接。通過采用大規模平行計算(每個分布式模式處理器芯片可以含有上萬個存儲處理單元),分布式模式處理器能對大型模式庫實現快速模式處理。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





