[發(fā)明專利]兼具語音識別功能的存儲器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010416482.4
• 申請日: 2017-03-07
• 公開（公告）號: CN111384051B
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張國飆
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州海存信息技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種兼具語音識別功能的存儲器(200)，其特征在于含有：

一傳輸至少部分聲學/語言模型的輸入總線(110)；

多個與所述輸入總線(110)耦合的存儲處理單元(100aa-100mn)，所述多個存儲處理單元(100aa-100mn)中每個存儲處理單元(100ij)均含有一個語音識別電路(180)和至少一個三維存儲3D-M陣列(170; 或170A-170D)；其中，所述3D-M陣列(170; 或170A-170D)存儲至少部分語音數(shù)據(jù)；所述語音識別電路(180)根據(jù)所述聲學/語言模型對所述部分語音數(shù)據(jù)進行模式識別；

所述3D-M陣列(170; 或170A-170D)有多個周邊電路(15, 15`, 17, 17`; 或15A-15D,17A-17D)，所述語音識別電路(180)和所述周邊電路(15, 15`, 17, 17`; 或15A-15D,17A-17D)中的所有晶體管(0t)均位于同一半導體襯底(0)之中，并位于所述半導體襯底(0)的上表面；

所述3D-M陣列(170; 或170A-170D)中的所有存儲元(5aa)均位于所述半導體襯底(0)的上方，且不位于任何半導體襯底之中；

所述3D-M陣列(170; 或170A-170D)與所述周邊電路(15, 15`, 17, 17`; 或15A-15D,17A-17D)通過多個接觸通道孔(1av)耦合，所述接觸通道孔(1av)不穿透任何半導體襯底；

所述語音識別電路(180)被所述周邊電路(15, 15`, 17, 17`; 或15A-15D, 17A-17D)至少部分包圍；所述周邊電路(15, 15`, 17, 17`; 或15A-15D, 17A-17D)位于所述語音識別電路(180)之外。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的兼具語音識別功能的存儲器(200)，其特征還在于：每個所述存儲處理單元(100ij)含有一個3D-M陣列(170)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的兼具語音識別功能的存儲器(200)，其特征還在于：所述3D-M陣列(170)在一個方向（X或Y）上有兩個周邊電路(15, 15`; 或17, 17`)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的兼具語音識別功能的存儲器(200)，其特征還在于：每個所述存儲處理單元(100ij)含有四個3D-M陣列(170A-170D)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的兼具語音識別功能的存儲器(200)，其特征還在于：所述3D-M陣列(170A)在一個方向（X或Y）上只有一個周邊電路(15A或17A)。