[發(fā)明專利]一種橫向MIM格點陣等離激元吸收器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010416222.7
• 申請日: 2020-05-17
• 公開（公告）號: CN111552014B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發(fā)明（設計）人: 肖功利;楊文琛;薛淑文;楊宏艷;楊寓婷;張開富;李海鷗
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學
• 主分類號: G02B5/00
• 分類號: G02B5/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種橫向MIM格點陣等離激元吸收器，由介質基底和具有周期性的金屬納米顆粒陣列構成，金屬納米顆粒由兩個相對的金長方體塊為一組，相對于介質基底垂直地豎立在其上表面，相對的兩個金長方體塊的中間夾有一層介質，每組金屬納米顆粒在基底上表面沿著相互垂直的水平X軸和Y軸成周期分布構成金屬納米顆粒陣列，入射光為平面波，光源在整個結構的正上方且斜入射到介質基底上平面，入射光波為磁場方向平行于介質基底上平面的TM波，透射光從金屬納米顆粒陣列下方射出，反射光從金屬納米顆粒陣列上方射出，整個結構工作在真空或空氣介質環(huán)境中；每組金屬納米顆粒由兩個相對的金長方體塊及其中間所夾的介質層構成，兩個相對的金長方體幾何尺寸完全相同；垂直豎立在介質基底上表面的每組金屬納米顆粒沿著金長方體塊長方向上的排列周期D介于300nm～700nm之間，沿著金長方體塊寬度方向上的排列周期T介于300nm～700nm之間；每組金屬納米顆粒中金長方體塊的高度h介于150nm～300nm之間，寬度W介于20nm～100nm之間，長度a介于100nm～300nm之間，兩個相對金長方體塊的間距m介于20nm～150nm之間。

2.根據權利要求1所述的一種橫向MIM格點陣等離激元吸收器，其特征在于：入射光為TM平面光波，入射光的磁場方向平行于每組金屬納米顆粒中兩個金長方體塊的寬度方向，入射平面光波在YZ平面內的波矢k與Z軸的夾角θ介于1°～60°之間。