[發(fā)明專(zhuān)利]一種橫向MIMI格點(diǎn)陣等離激元共振吸收器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010416220.8
• 申請(qǐng)日: 2020-05-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111580197B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 肖功利;楊文琛;薛淑文;楊宏艷;楊寓婷;張開(kāi)富;李海鷗
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 桂林電子科技大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): G02B5/00
• 分類(lèi)號(hào): G02B5/00
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種橫向MIMI格點(diǎn)陣等離激元吸收器，由折射率n₁＝1.52的介質(zhì)基底和以MIMI結(jié)構(gòu)基本單元進(jìn)行周期性排列形成的橫向MIMI格點(diǎn)陣列構(gòu)成，MIMI結(jié)構(gòu)基本單元是由兩列銀和兩列二氧化硅長(zhǎng)方體塊交替堆積形成，均垂直豎立在介質(zhì)基底的上表面，在水平方向上沿著相互垂直的X軸和Y軸以一定的周期進(jìn)行排列形成橫向MIMI格點(diǎn)陣列，整個(gè)結(jié)構(gòu)放置在一個(gè)均勻的介質(zhì)環(huán)境中，入射光為平面波，光源在整個(gè)結(jié)構(gòu)的正上方且入射方向即波矢k與介質(zhì)基底上表面垂直，透射光從MIMI格點(diǎn)陣列的下方射出，反射光從MIMI格點(diǎn)陣列的上方射出，通過(guò)兩種不同的共振形式在吸收光譜上產(chǎn)生兩個(gè)窄的共振吸收峰；銀長(zhǎng)方體塊和二氧化硅長(zhǎng)方體塊的高度相等，銀長(zhǎng)方體塊和二氧化硅長(zhǎng)方體塊的長(zhǎng)度相等；每個(gè)MIMI結(jié)構(gòu)基本單元中銀長(zhǎng)方體塊和二氧化硅長(zhǎng)方體塊的高度h介于100nm～300nm之間，長(zhǎng)度a介于100nm～300nm之間；內(nèi)側(cè)銀長(zhǎng)方體塊的寬度w₂介于10nm～100nm之間，外側(cè)銀長(zhǎng)方體塊的寬度w₁介于10nm～100nm之間，內(nèi)側(cè)二氧化硅長(zhǎng)方體塊的寬度d₁介于10nm～100nm之間，外側(cè)二氧化硅長(zhǎng)方體塊的寬度d₂介于10nm～100nm之間；垂直豎立在介質(zhì)基底上表面的MIMI結(jié)構(gòu)基本單元沿著銀長(zhǎng)方體塊和二氧化硅長(zhǎng)方體塊寬方向上的排列周期D介于300nm～700nm之間，沿著銀長(zhǎng)方體塊和二氧化硅長(zhǎng)方體塊長(zhǎng)方向上的排列周期T介于300nm～700nm之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種橫向MIMI格點(diǎn)陣等離激元吸收器，其特征在于：光源在整個(gè)結(jié)構(gòu)的正上方且入射方向即波矢k與介質(zhì)基底上表面垂直，入射的光波為T(mén)EM電磁波并正入射到整個(gè)結(jié)構(gòu)的上方，磁場(chǎng)方向平行于銀長(zhǎng)方體塊和二氧化硅長(zhǎng)方體塊的寬，電場(chǎng)方向平行于銀長(zhǎng)方體塊和二氧化硅長(zhǎng)方體塊的長(zhǎng)。