[發(fā)明專利]集成微納能量回收與存儲芯片及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010416010.9 | 申請日: | 2020-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN111564988B | 公開(公告)日: | 2021-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 白民宇;劉歡;劉衛(wèi)國;王宇晶;解飛;趙季杰 | 申請(專利權(quán))人: | 西安工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號: | H02N2/18 | 分類號: | H02N2/18;H02N2/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 西安智大知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 61215 | 代理人: | 何會俠 |
| 地址: | 710021 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成 能量 回收 存儲 芯片 及其 制備 方法 | ||
1.集成微納能量回收與存儲芯片,其特征在于:由自下而上的基座(1)、中間層(2)、頂層(3)以及嵌套在這三層結(jié)構(gòu)中的發(fā)電正極模塊(4)、發(fā)電負(fù)極模塊(5)以及電容模塊(6)構(gòu)成;
所述基座(1)上具有正極盲槽(1-1)、電容盲槽(1-2)與負(fù)極盲槽(1-3),基座電容負(fù)極引線孔(1-4)以及隔膜臺階(1-5);
所述中間層(2)上具有正極通槽(2-1)、電容通槽(2-2)、負(fù)極通槽(2-3)以及中間電容負(fù)極引線孔(2-4);中間層(2)所有通槽為貫通上下表面的結(jié)構(gòu);
所述的頂層(3)上具有發(fā)電正極引線孔(3-1)、發(fā)電正極集流槽(3-2)、電容正極引線孔(3-3)、電容正極集流槽(3-4)、頂層電容負(fù)極引線孔(3-5)、發(fā)電負(fù)極集流槽(3-6)以及發(fā)電負(fù)極引線孔(3-7);其中頂層各引線孔均貫穿頂層(3),頂層各集流槽均位于頂層下表面;頂層各引線孔橫向位置位于對應(yīng)的集流槽區(qū)域內(nèi);
所述的基座(1)、中間層(2)和頂層(3)從下到上依次疊加;
所述的正極盲槽(1-1)、正極通槽(2-1)以及發(fā)電正極集流槽(3-2)截面尺寸相同,相互對準(zhǔn),共同圍成一個空腔,在該空腔內(nèi)部自下而上依次布置有發(fā)電正極(4-1)與發(fā)電正極集流器(4-2),二者相互接觸;發(fā)電正極引線孔(3-1)內(nèi)部填充發(fā)電正極引線(4-3);頂層(3)上表面并位于發(fā)電正極引線孔(3-1)端面周圍區(qū)域設(shè)置發(fā)電正極焊盤(4-4);所述發(fā)電正極(4-1)的結(jié)構(gòu)是內(nèi)部含有正性顆粒(4-1-1)的正極多孔三維結(jié)構(gòu)(4-1-2),所述正極多孔三維結(jié)構(gòu)(4-1-2)的材料為高孔隙率的三維石墨烯,正極顆粒(4-1-1)的材料為功函數(shù)大于石墨烯的物質(zhì)顆粒,發(fā)電正極(4-1)產(chǎn)生的正電荷被發(fā)電正極集流器(4-2)收集,并通過發(fā)電正極引線(4-3)導(dǎo)出至發(fā)電正極焊盤(4-4);所述發(fā)電正極(4-1)、發(fā)電正極集流器(4-2)、發(fā)電正極引線(4-3)和發(fā)電正極焊盤(4-4)構(gòu)成發(fā)電正極模塊(4);
所述的負(fù)極盲槽(1-3)、負(fù)極通槽(2-3)以及發(fā)電負(fù)極集流槽(3-6)截面尺寸相同,相互對準(zhǔn),共同圍成一個空腔,在該空腔內(nèi)部自下而上依次布置有發(fā)電負(fù)極(5-1)與發(fā)電負(fù)極集流器(5-2),二者相互接觸;發(fā)電負(fù)極引線孔(3-7)內(nèi)部填充發(fā)電負(fù)極引線(5-3);頂層(3)上表面并位于發(fā)電負(fù)極引線孔(3-7)端面周圍區(qū)域設(shè)置發(fā)電負(fù)極焊盤(5-4);所述發(fā)電負(fù)極(5-1)的結(jié)構(gòu)是內(nèi)部含有負(fù)性顆粒(5-1-1)的負(fù)極多孔三維結(jié)構(gòu)(5-1-2),所述負(fù)極多孔三維結(jié)構(gòu)(5-1-2)的材料為高孔隙率的三維石墨烯,負(fù)極顆粒(5-1-1)的材料為功函數(shù)小于石墨烯的物質(zhì)顆粒,發(fā)電負(fù)極(5-1)產(chǎn)生的負(fù)電荷被發(fā)電負(fù)極集流器(5-2)收集,并通過發(fā)電負(fù)極引線(5-3)導(dǎo)出至發(fā)電負(fù)極焊盤(5-4);所述發(fā)電負(fù)極(5-1)、發(fā)電負(fù)極集流器(5-2)、發(fā)電負(fù)極引線(5-3)和發(fā)電負(fù)極焊盤(5-4)構(gòu)成發(fā)電負(fù)極模塊(5);
所述的電容盲槽(1-2),電容通槽(2-2)以及電容正極集流槽(3-4)截面尺寸相同,相互對準(zhǔn),共同形成一個空腔,該空腔內(nèi)部從下到上依次布置電容負(fù)極集流器(6-5)、電容負(fù)極(6-3)、隔膜(6-2)、電容正極(6-1)以及電容正極集流器(6-4);其中隔膜(6-2)截面尺寸大于電容正極(6-1)和電容負(fù)極(6-3)截面尺寸,超出部分嵌在隔膜臺階(1-5)與中間層(2)下表面共同構(gòu)成的淺槽中;電容正極引線孔(3-3)內(nèi)部填充電容正極引線(6-6);頂層(3)的上表面并位于電容正極引線孔(3-3)端面周圍區(qū)域設(shè)置電容正極焊盤(6-8);基座電容負(fù)極引線孔(1-4)、中間電容負(fù)極引線孔(2-4)與頂層電容負(fù)極引線孔(3-5)直徑相同,軸心重合,從下到上依次連通形成完整的通孔,通孔內(nèi)部填充電容負(fù)極引線(6-7);頂層(3)的上表面并位于電容負(fù)極引線(6-7)端面周圍區(qū)域設(shè)置有電容負(fù)極焊盤(6-9);所述電容正極(6-1)、隔膜(6-2)、電容負(fù)極(6-3)、電容正極集流器(6-4)、電容負(fù)極集流器(6-5)、電容正極引線(6-6)、電容負(fù)極引線(6-7)、電容正極焊盤(6-8)和電容負(fù)極焊盤(6-9)構(gòu)成電容模塊(6);電容正極(6-1)與電容正極集流器(6-4)接觸,并通過電容正極引線(6-6)與電容正極焊盤(6-8)連接;正電荷從正極焊盤(6-8)開始沿著電容正極引線(6-6)和電容正極集流器(6-4)導(dǎo)入電容正極(6-1);電容負(fù)極(6-3)與電容負(fù)極集流器(6-5)接觸,并通過電容負(fù)極引線(6-7)與電容負(fù)極焊盤(6-9)連接;負(fù)電荷從電容負(fù)極焊盤(6-9)開始沿著電容負(fù)極引線(6-7)和電容負(fù)極集流器(6-5)導(dǎo)入電容負(fù)極(6-3)。
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