[發(fā)明專(zhuān)利]像素單元和掩膜板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010415228.2
• 申請(qǐng)日: 2020-05-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111584585B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-08-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周思思
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/32
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/32;H01L51/56;H01L51/00
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

1.一種像素單元，其特征在于，包括襯底、以及陣列設(shè)置在所述襯底上的上層金屬圖案，以及與所述上層金屬圖案對(duì)應(yīng)設(shè)置的下層金屬圖案，相對(duì)應(yīng)的所述上層金屬圖案與所述下層金屬圖案通過(guò)接觸孔連接；

所述上層金屬圖案同層制備，所述下層金屬圖案中至少有一功能金屬圖案與其他金屬圖案位于不同膜層，連接該功能金屬圖案的接觸孔孔深不同于其他接觸孔的孔深；

其中，較大孔深的接觸孔的最大設(shè)計(jì)孔徑，大于孔深較小的接觸孔的最大設(shè)計(jì)孔徑，使得不同孔深的接觸孔與所述下層金屬圖案的接觸面積趨于相同，所述下層金屬圖案包括有源層、第一金屬層、第二金屬層，所述上層金屬圖案包括源漏極金屬層，所述源漏極金屬層通過(guò)第一接觸孔與所述有源層觸接形成第一接觸面，所述源漏極金屬層通過(guò)第二接觸孔與所述第一金屬層觸接形成第二接觸面，所述源漏極金屬層通過(guò)第三接觸孔與所述第二金屬層觸接形成第三接觸面，所述第一接觸面和所述第二接觸面的面積相同，所述第二接觸面的面積大于所述第三接觸面的面積，其中，所述第一接觸面材料的電阻率和所述第二接觸面材料的電阻率相同，所述第二接觸面材料的電阻率大于所述第三接觸面材料的電阻率，使得所述第一接觸面、所述第二接觸面、所述第三接觸面處的阻抗相同。

2.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，在層間絕緣層的同一高度處，所述第一接觸孔的橫截面面積大于所述第二接觸孔的橫截面面積，所述第二接觸孔的橫截面面積大于所述第三接觸孔的橫截面面積。

3.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述第一接觸面、所述第二接觸面、所述第三接觸面的形狀均相同，所述形狀為矩形、圓形、菱形中的任一種。

4.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述第一接觸面、所述第二接觸面、所述第三接觸面形狀均不同。

5.一種掩膜板，其特征在于，用于形成如權(quán)利要求 1至4任一項(xiàng)所述的像素單元，所述掩膜板包括主體、以及設(shè)置在所述主體上的第一通孔、第二通孔、第三通孔，所述第一通孔對(duì)應(yīng)形成第一接觸孔，所述第二通孔對(duì)應(yīng)形成第二接觸孔，所述第三通孔對(duì)應(yīng)形成第三接觸孔，其中，所述第一通孔的尺寸大于所述第二通孔的尺寸，所述第二通孔的尺寸大于所述第三通孔的尺寸。

6.如權(quán)利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述第一通孔的尺寸、所述第二通孔的尺寸、所述第三通孔的尺寸的值呈等差排布。

7.如權(quán)利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔的形狀均相同，所述形狀為矩形、圓形、菱形中的任一種。

8.如權(quán)利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔的形狀均不同。