[發(fā)明專利]一種等離子體處理裝置及其導(dǎo)磁組件與方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010414741.X
• 申請(qǐng)日: 2020-05-15
• 公開（公告）號(hào): CN113675063A
• 公開（公告）日: 2021-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹詩流
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 上海元好知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31323
• 代理人: 徐雯瓊;章麗娟

1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

反應(yīng)腔，其包括反應(yīng)腔側(cè)壁；

介電窗，位于所述反應(yīng)腔側(cè)壁上；

線圈，位于所述介電窗上；

導(dǎo)電部件，位于所述介電窗上；

導(dǎo)磁件，位于所述介電窗上，且設(shè)置在至少部分所述導(dǎo)電部件的周圍。

2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述導(dǎo)電部件包括刻蝕監(jiān)測設(shè)備和/或氣體輸送管路，所述刻蝕監(jiān)測設(shè)備用于監(jiān)測反應(yīng)腔內(nèi)的刻蝕情況，所述氣體輸送管路用于向反應(yīng)腔內(nèi)輸送反應(yīng)氣體。

3.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

當(dāng)所述導(dǎo)電部件包括刻蝕監(jiān)測設(shè)備和氣體輸送管路時(shí)，在所述刻蝕檢測設(shè)備與氣體輸送管路之間設(shè)置所述導(dǎo)磁件。

4.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

當(dāng)所述導(dǎo)電部件包括刻蝕監(jiān)測設(shè)備和氣體輸送管路時(shí)，分別設(shè)置不同的導(dǎo)磁件在所述刻蝕檢測設(shè)備和氣體輸送管路的周圍。

5.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述導(dǎo)磁件包圍至少部分所述導(dǎo)電組件。

6.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述導(dǎo)磁件為一個(gè)完整的環(huán)形，所述環(huán)形的導(dǎo)磁件環(huán)繞設(shè)置所述導(dǎo)電部件周圍，或者所述環(huán)形的導(dǎo)磁件套設(shè)在所述導(dǎo)電部件外側(cè)。

7.如權(quán)利要求1或5或6所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述導(dǎo)磁件的個(gè)數(shù)為至少一個(gè)，且所述至少一個(gè)導(dǎo)磁件環(huán)繞設(shè)置在所述導(dǎo)電部件周圍或者所述至少一個(gè)導(dǎo)磁件套設(shè)在所述導(dǎo)電部件外側(cè)。

8.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述導(dǎo)磁件的形狀包括：半圓環(huán)、塊狀、E字形或者U字形。

9.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述導(dǎo)磁件與導(dǎo)電部件接觸。

10.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述導(dǎo)磁件的材料為高磁導(dǎo)率材料，所述高磁導(dǎo)率材料的磁導(dǎo)率大于空氣的磁導(dǎo)率。

11.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述導(dǎo)磁件的材料包括：鐵氧體、鐵、鎳、鈷中的一種或多種。

12.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

還包括：基座，設(shè)于所述反應(yīng)腔內(nèi)底部，所述基座用于承載晶圓；

所述晶圓的刻蝕效率與導(dǎo)磁件的磁導(dǎo)率呈正相關(guān)關(guān)系；

所述晶圓的刻蝕效率與導(dǎo)磁件的體積呈正相關(guān)關(guān)系；

所述導(dǎo)磁件與導(dǎo)電部件之間的距離設(shè)置在一定范圍時(shí)，所述晶圓的刻蝕效率與導(dǎo)磁件到導(dǎo)電部件之間的距離大小呈負(fù)相關(guān)關(guān)系。

13.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

還包括：射頻功率源，與所述線圈電連接。

14.一種用于等離子體處理裝置的導(dǎo)磁組件，所述等離子體處理裝置包括反應(yīng)腔，所述反應(yīng)腔包括反應(yīng)腔側(cè)壁，所述反應(yīng)腔側(cè)壁上方設(shè)置介電窗，所述介電窗上設(shè)置線圈，其特征在于，所述導(dǎo)磁組件包括：

導(dǎo)電部件，位于所述介電窗上；

導(dǎo)磁件，位于所述介電窗上，且設(shè)置在至少部分所述導(dǎo)電部件的周圍。

15.如權(quán)利要求14所述的導(dǎo)磁組件，其特征在于，

所述導(dǎo)電部件包括刻蝕監(jiān)測設(shè)備和/或氣體輸送管路，所述刻蝕監(jiān)測設(shè)備用于監(jiān)測反應(yīng)腔內(nèi)的刻蝕情況，所述氣體輸送管路用于向反應(yīng)腔內(nèi)輸送反應(yīng)氣體。