[發(fā)明專利]顯示基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010414503.9
• 申請(qǐng)日: 2020-05-15
• 公開（公告）號(hào): CN111554720B
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅程遠(yuǎn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32
• 代理公司: 北京博思佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11415
• 代理人: 陳蕾

1.一種顯示基板的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成第一電極層及輔助電極；

在所述第一電極層上形成像素限定層，所述像素限定層具有像素開口及通孔，所述通孔暴露至少部分所述輔助電極；

在所述通孔中形成輔助材料；

形成覆蓋所述像素限定層與所述輔助材料的有機(jī)功能層；

將加熱后的壓印部壓入所述通孔中，使所述有機(jī)功能層與所述通孔對(duì)應(yīng)的部分隨所述壓印部進(jìn)入所述通孔，且使所述輔助材料熔融，從而所述通孔中的有機(jī)功能層隨所述輔助材料流出所述通孔，至少部分所述輔助電極暴露；

在所述有機(jī)功能層上形成第二電極層，所述第二電極層與所述輔助電極電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，所述輔助材料的熔點(diǎn)低于所述輔助電極的熔點(diǎn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，所述輔助材料的熔點(diǎn)低于所述像素限定層的熔點(diǎn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，所述輔助材料為導(dǎo)電材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，所述輔助電極包括多個(gè)電極塊，所述像素限定層上設(shè)有多個(gè)所述通孔，每一所述電極塊至少對(duì)應(yīng)一個(gè)所述通孔，所述將加熱后的壓印部壓入所述通孔中，包括：

提供壓印件，所述壓印件包括載板及設(shè)置在所述載板上的多個(gè)間隔排布的壓印部；

加熱所述壓印部；

將加熱后的多個(gè)所述壓印部同時(shí)壓入對(duì)應(yīng)的所述通孔中。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，所述載板上設(shè)置有容納部，所述容納部與所述壓印部設(shè)置在所述載板的同一側(cè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，所述輔助材料摻雜有金屬顆粒，所述金屬顆粒在磁場(chǎng)中被磁化；所述壓印件上設(shè)置有磁性件，所述磁性件可產(chǎn)生磁場(chǎng)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，在所述顯示基板的層疊方向上，所述壓印部的尺寸大于所述通孔的尺寸；和/或，

在與所述顯示基板的層疊方向垂直的方向上，所述通孔的尺寸范圍為5μm-20μm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，所述第一電極層與所述輔助電極在一次構(gòu)圖工藝中形成。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，所述將加熱后的壓印部壓入所述通孔中的步驟在密閉容器中完成，所述制備方法還包括：所述將加熱后的壓印部壓入所述通孔中的同時(shí)，抽取所述密閉容器中的氣體。

11.一種顯示基板，其特征在于，所述顯示基板采用權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)所述的制備方法制備得到，所述顯示基板包括：

襯底；

位于所述襯底上的第一電極層及輔助電極；

位于所述第一電極層上的像素限定層，所述像素限定層具有像素開口及通孔，所述通孔暴露至少部分所述輔助電極；

位于所述像素限定層上的有機(jī)功能層，所述有機(jī)功能層與所述通孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)有開孔；

位于所述有機(jī)功能層上的第二電極層，部分所述第二電極層通過(guò)所述開孔進(jìn)入所述通孔中且與所述輔助電極電連接。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示基板，其特征在于，所述通孔中設(shè)有輔助材料，所述輔助材料覆蓋所述通孔的部分表面；

所述輔助材料的熔點(diǎn)低于所述輔助電極的熔點(diǎn)。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示基板，其特征在于，所述通孔中設(shè)有輔助材料，所述輔助材料覆蓋所述通孔的部分表面；所述輔助材料的熔點(diǎn)低于所述像素限定層的熔點(diǎn)。