[發(fā)明專利]Ni摻雜CuCoMnOx

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010413711.7
• 申請日: 2020-05-15
• 公開（公告）號: CN111519153A
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發(fā)明（設計）人: 王愛平
• 申請（專利權）人: 廣州珈鵬科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/10;F24S70/20
• 代理公司: 深圳龍圖騰專利代理有限公司 44541
• 代理人: 廉瑩

1.一種Ni摻雜CuCoMnO_x尖晶石結構太陽能選擇吸收涂層，其特征在于，包括基體以及Ni摻雜所形成的Ni_y(CuCoMnO_x)_1-y涂層，所述Ni_y(CuCoMnO_x)_1-y涂層為Ni含量由遠離基體方向逐漸增大，所述Ni摻雜含量y的范圍為0＜y＜10。

2.根據權利要求1所述Ni摻雜CuCoMnO_x尖晶石結構太陽能選擇吸收涂層，其特征在于：所述基體為不銹鋼、鋁、銅中的一種。

3.根據權利要求1-2任一項所述Ni摻雜CuCoMnO_x尖晶石結構太陽能選擇吸收涂層，其特征在于：所述Ni_y(CuCoMnO_x)_1-y涂層厚度為1-10μm。

4.根據權利要求1-3任一項所述Ni摻雜CuCoMnO_x尖晶石結構太陽能選擇吸收涂層，其特征在于：選擇吸收涂層還包括SiO₂或TiO₂層作為減反射層。

5.根據權利要求1-4任一項所述Ni摻雜CuCoMnO_x尖晶石結構太陽能選擇吸收涂層，其特征在于：所述減反射層厚度為0.1-0.5μm。

6.一種權利要求1-5任一項所述Ni摻雜CuCoMnO_x尖晶石結構太陽能選擇吸收涂層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)基體預處理：將基體浸入酸洗除油液，依次污水乙醇、去離子水超聲洗滌10-20min，烘干備用；

(2)陶瓷靶材制備：采用粒徑為5-30μm的氧化銅粉末、5-30μm的氧化鈷粉末、5-30μm的氧化錳粉末按照一定的摩爾比混合、加入聚乙烯醇進行球磨5-7h、造粒、篩分、將粉末置于模具中在15-30MPa壓力下冷等靜壓成型、升溫至500-600℃保溫2-5h后升溫至1000-1200℃燒結制得尖晶石結構的陶瓷靶材；

(3)離子轟擊處理：將基體置于射頻磁控濺射系統(tǒng)的旋轉樣品架、純鎳靶材、尖晶石結構的陶瓷靶材分別相對安裝在靶材位置；基體加熱至500-600℃、開啟真空泵對腔體抽真空至2×10^-4-5×10^-4Pa，通入Ar，控制腔體壓力2-5Pa、開啟基體負偏壓100-200V，對基體進行離子轟擊處理5-10min，關閉偏壓；

(4)吸收涂層沉積：繼續(xù)通入O₂、控制腔體壓力4-8Pa、開啟陶瓷靶材、純鎳靶材電源，設置陶瓷靶材功率為600-800W、純鎳靶材功率為80-100W，其中保持陶瓷靶材功率不變，純鎳靶材功率隨著時間線性增加、樣品架旋轉速度為5-10r/min、濺射時間為60-90min；

(5)關閉電源、停止通入Ar、O₂，冷卻至室溫取出基體，即可獲得所述Ni_y(CuCoMnO_x)_1-y涂層。

7.根據權利要求6所述Ni摻雜CuCoMnO_x尖晶石結構太陽能選擇吸收涂層的制備方法，其特征在于：所述線性增加I_t＝I₀+kt，其中0.5≤k≤0.8，t為濺射時間。

8.根據權利要求7所述Ni摻雜CuCoMnO_x尖晶石結構太陽能選擇吸收涂層的制備方法，所述制備方法還包括步驟(6)：通過磁控濺射SiO₂或TiO₂層作為減反射層。