[發明專利]顯示基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202010413063.5 | 申請日: | 2020-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN111564476A | 公開(公告)日: | 2020-08-21 |
| 發明(設計)人: | 李永謙;邱振華;王迎;李蒙;韓東旭;張大成;孫詩 | 申請(專利權)人: | 合肥京東方卓印科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 曲鵬;解婷婷 |
| 地址: | 230012 安徽省合肥市新*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,包括多個顯示單元,所述顯示單元包括顯示區域和透明區域,所述顯示區域包括多個子像素;在垂直于顯示基板的方向上,所述子像素包括在基底上設置的第一金屬層、金屬氧化物層、第二金屬層和第三金屬層,所述第一金屬層包括第一極板,所述金屬氧化物層包括第二極板,所述第二金屬層包括水平方向延伸并限定出一顯示行的第一掃描線和第二掃描線,所述第三金屬層包括第三極板以及豎直方向延伸并限定出所述多個子像素的第一電源線、第二電源線、補償線和數據線;所述第二極板在基底上的正投影與所述第一極板在基底上的正投影存在交疊區域,以形成第一存儲電容,所述第三極板在基底上的正投影與所述第二極板在基底上的正投影存在交疊區域,以形成第二存儲電容,所述第三極板通過過孔與所述第一極板連接;所述第一電源線、第二電源線、補償線和數據線均包括豎直直線段和水平折線段,所述豎直直線段設置在本顯示行的所述第一掃描線和第二掃描線之間,所述水平折線段設置在相鄰顯示行的所述第一掃描線和第二掃描線之間,使相鄰顯示行的顯示區域錯位設置,相鄰顯示行的透明區域錯位設置。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示區域包括設置像素驅動電路的四個子像素,所述四個子像素包括依次設置的第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素,所述四個子像素中的像素驅動電路以并列方式排列。
3.根據權利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述第一子像素的像素驅動電路與所述第四子像素的像素驅動電路相對于所述補償線鏡像對稱設置,所述第二子像素的像素驅動電路與所述第三子像素的像素驅動電路相對于所述補償線鏡像對稱設置。
4.根據權利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述像素驅動電路包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管和存儲電容,所述第一晶體管的柵電極與所述第一掃描線連接,所述第一晶體管的第一極與所述數據線連接,所述第一晶體管的第二極與所述第二晶體管的柵電極連接,所述第二晶體管的第一極與所述第一電壓線連接,所述第二晶體管的第二極與有機電致發光二極管的第一極連接,所述第三晶體管的柵電極與所述第二掃描線連接,所述第三晶體管的第一極通過補償連接線與所述補償線連接,所述第三晶體管的第二極與所述第二晶體管的第二極連接,所述有機電致發光二極管的第二極與所述第二電壓線連接;所述第一極板和第三極板與所述第二晶體管的第二極連接,所述第二極板與所述第二晶體管的柵電極連接。
5.根據權利要求4所述的顯示基板,其特征在于,所述像素驅動電路還包括電源連接線,所述第二晶體管的第一極通過所述電源連接線與所述第一電壓線連接;所述電源連接線與所述第一掃描線和第二掃描線同層設置,所述第一電壓線通過過孔與所述電源連接線連接,在所述第一晶體管的柵電極與所述第三晶體管的柵電極之間形成雙層走線。
6.根據權利要求4所述的顯示基板,其特征在于,所述像素驅動電路還包括輔助電源線,所述輔助電源線與所述第一掃描線和第二掃描線同層設置,所述第二電壓線通過過孔與所述輔助電源線連接,在所述第一晶體管的柵電極與所述第三晶體管的柵電極之間形成雙層走線。
7.根據權利要求4所述的顯示基板,其特征在于,所述補償連接線與所述第一極板同層設置,所述第二極板與所述第一晶體管的有源層、第二晶體管的有源層和第三晶體管的有源層同層設置。
8.根據權利要求4所述的顯示基板,其特征在于,所述有機電致發光二極管包括陽極、有機發光層和陰極,所述陽極通過過孔與每個子像素的第二晶體管的第二極連接;所述第一子像素和第四子像素的過孔設置在所述第二極板與第三晶體管的有源層之間的間隔區域,所述第二子像素和第三子像素的過孔設置在所述第二極板開設的開口區域。
9.根據權利要求4所述的顯示基板,其特征在于,在平行于所述第一掃描線方向,所述第一電源線的寬度大于所述補償線或數據線的寬度,所述第二電源線的寬度大于所述補償線或數據線的寬度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





