[發明專利]鐿離子摻雜ABGS晶體及自倍頻超短脈沖激光器

有效

• 申請號: 202010412985.4
• 申請日: 2020-05-15
• 公開（公告）號: CN111555107B
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 張栩朝;郭世義;王正平;許心光
• 申請（專利權）人: 山東大學
• 主分類號: H01S3/109
• 分類號: H01S3/109;H01S3/16
• 代理公司: 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219
• 代理人: 楊磊

1.基于鐿離子摻雜ABGS晶體的自倍頻超短脈沖激光器，其特征在于，該激光器包括沿光路設置的半導體激光泵浦源、聚焦系統、第一諧振腔鏡M₁、自倍頻激光晶體、第二諧振腔鏡M₂、GTI鏡、第三諧振腔鏡M₃、第四諧振腔鏡M₄、可飽和吸收體；所述自倍頻激光晶體為鐿離子摻雜A₃BGa₃Si₂O₁₄晶體，A=Ca或Sr ， B=Nb或Ta；

所述的鐿離子摻雜A₃BGa₃Si₂O₁₄晶體的切割方向均為沿1064 nm倍頻相位匹配方向，倍頻后將實現532 nm綠光激光輸出，具體輸出波長受實驗條件的影響，會因泵浦源波長和諧振腔鏡參數的不同而有所變化。

2.根據權利要求1所述的基于鐿離子摻雜ABGS晶體的自倍頻超短脈沖激光器，其特征在于，所述的鐿離子摻雜A₃BGa₃Si₂O₁₄晶體的通光方向長度為0.1-100 mm。

3. 根據權利要求1所述的基于鐿離子摻雜ABGS晶體的自倍頻超短脈沖激光器，其特征在于，所述的鐿離子摻雜A₃BGa₃Si₂O₁₄晶體的鐿離子摻雜濃度為（0.1-50） at.%。

4.根據權利要求1所述的基于鐿離子摻雜ABGS晶體的自倍頻超短脈沖激光器，其特征在于，所述的鐿離子摻雜A₃BGa₃Si₂O₁₄晶體為長方體或圓柱體。

5. 根據權利要求1所述的基于鐿離子摻雜ABGS晶體的自倍頻超短脈沖激光器，其特征在于，所述的鐿離子摻雜A₃BGa₃Si₂O₁₄晶體的I類相位匹配的切割角為，其中，的取值范圍為31.6 ^o -41.6^o ，的取值范圍偉-180.0 ^o -180.0^o。

6. 根據權利要求1所述的基于鐿離子摻雜ABGS晶體的自倍頻超短脈沖激光器，其特征在于，所述鐿離子摻雜A₃BGa₃Si₂O₁₄晶體的II類相位匹配的切割角為，的取值范圍為51.5 ^o -61.5^o ，的取值范圍為-180 ^o-180^o。

7.根據權利要求1所述的基于鐿離子摻雜ABGS晶體的自倍頻超短脈沖激光器，其特征在于，所述自倍頻激光晶體的左側與右側通光端面上分別鍍有（960-990）nm、（1000-1100）nm、（500-550）nm增透膜。

8.根據權利要求1所述的基于鐿離子摻雜ABGS晶體的自倍頻超短脈沖激光器，其特征在于，所述半導體激光泵浦源為中心波長為（960-990）nm的直接輸出半導體激光器或光纖耦合輸出半導體激光器。

9. 根據權利要求1所述的基于鐿離子摻雜ABGS晶體的自倍頻超短脈沖激光器，其特征在于，所述第一諧振腔鏡M₁至少鍍有對（960-990）nm光高透、對（1000-1100） nm光高反的介質膜；所述第二諧振腔鏡M₂至少鍍有對（960-990）nm光和（1000-1100） nm光高反的介質膜；所述第四諧振腔鏡M₄至少鍍有對（1000-1100） nm光高反的介質膜。