[發明專利]低熔點合金半固態熔體制備工藝

有效

• 申請號: 202010412775.5
• 申請日: 2020-05-15
• 公開（公告）號: CN111360214B
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 劉文;王濤;張海英;張池;王春鴿;于艷東;羅開臣;章翔宇;陳怡江
• 申請（專利權）人: 浙大寧波理工學院
• 主分類號: B22D1/00
• 分類號: B22D1/00;C22C1/00
• 代理公司: 寧波中致力專利代理事務所(普通合伙) 33322
• 代理人: 張圓

1.低熔點合金半固態熔體制備工藝，其特征在于：包括以下步驟：

a.合金熔煉；將低熔點合金進行加熱熔煉成半固態熔體；

b.熔體射出；將半固態熔體通過噴射管進行噴出，使得半固態熔體由所述噴射管擺動噴出,噴射管噴出的半固態熔體進入攪拌倉上部的預形核區域內，半固態熔體內的晶核與預形核區域的內壁發生碰撞炸裂，在高速旋轉融合下，晶核裂變速度加快，提高形核效率；

c.熔體攪拌；所述攪拌倉呈上大下小的螺旋狀，且所述攪拌倉自預形核區域往下依次設有第一溫控區域、第二溫控區域、第三溫控區域和第四溫控區域，其中，第一溫控區域低于合金固相溫度，用于半固態熔體快速形核；第二溫控區域高于合金液相溫度，用于半固態熔體熔斷晶核的晶狀臂；第三溫控區域位于合金固相溫度和合金液相溫度之間，用于調整半固態熔體晶核的圓整度；所述第四溫控區域為常溫，用于最后的合金成分穩定，使得半固態合金存在成分均勻、晶核圓整度好；

d.熔體制備完成；熔體從攪拌倉底部輸出。

2.根據權利要求1所述的低熔點合金半固態熔體制備工藝，其特征在于：在步驟a中，將低熔點合金放置于坩堝內，通過加熱元件對所述坩堝處進行加熱從而對坩堝內的低熔點合金進行熔煉形成半固態熔體。

3.根據權利要求1所述的低熔點合金半固態熔體制備工藝，其特征在于：在步驟c中，所述攪拌倉內壁錐度在20°至40°之間。

4.根據權利要求1所述的低熔點合金半固態熔體制備工藝，其特征在于：所述低熔點合金為22Bi-8Sn-70In，在步驟c中：第一溫控區域的溫度范圍為大于等于0℃，且小于69℃；第二溫控區域的溫度范圍為大于95℃，且小于等于100℃；第三溫控區域的溫度范圍為大于69℃，且小于95℃；第四溫控區域的溫度范圍為20℃-30℃。