[發明專利]一種可同時實現拋光和制絨的單晶硅片的制備方法

在審

• 申請號: 202010412513.9
• 申請日: 2020-05-15
• 公開（公告）號: CN111584343A
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 王興明;李良
• 申請（專利權）人: 常州啟航能源科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/306;H01L31/18;C30B33/10
• 代理公司: 南京創略知識產權代理事務所(普通合伙) 32358
• 代理人: 陳雅潔

1.一種可同時實現拋光和制絨的單晶硅片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

一、對原硅片進行拋光腐蝕：

S1、硅片清洗

S2、堿拋光

腐蝕克重為0.05～1g，反應溫度為50～85℃；

S3、水洗

S4、酸洗、

S5、水洗

S6、烘干。

二、在硅片的其中一個面進行處理形成一層耐腐蝕薄膜；

S7、在硅片的任一面制備一層耐堿腐蝕的薄膜，所述的耐堿腐蝕的薄膜為氮化硅、氧化硅、或者氮化硅/氧化硅的復合薄膜；

S8、對硅片未設置耐堿腐蝕的薄膜的一面采用鏈式刻蝕設備進行清洗。

2.如權利要求1所述的可同時實現拋光和制絨的單晶硅片的制備方法，其特征在于，硅片清洗采用的溶液為氫氧化鈉或氫氧化鉀與雙氧水的混合水溶液，溶液中氫氧化鉀或氫氧化鈉的質量濃度為1％～20％，雙氧水的質量濃度為1％～30％，反應溫度為50～85℃。

3.如權利要求2所述的可同時實現拋光和制絨的單晶硅片的制備方法，其特征在于，清洗的處理時間為10S～300S。

4.如權利要求1所述的可同時實現拋光和制絨的單晶硅片的制備方法，其特征在于，堿拋光采用的是氫氧化鉀或氫氧化鈉與催化劑的混合溶液；溶液中氫氧化鉀或氫氧化鈉的質量濃度為1％～20％，溶液中催化劑的質量濃度為0.1％～3％，所述堿拋的處理時間為30S～300S。

5.如權利要求1所述的可同時實現拋光和制絨的單晶硅片的制備方法，其特征在于，S3和S5中水洗采用去離子水水洗。

6.如權利要求1所述的可同時實現拋光和制絨的單晶硅片的制備方法，其特征在于，S4中酸洗采用的溶液為HF、HCL和去離子水的混合溶液；溶液中HF質量濃度為3％～20％，HCL質量濃度為3％～20％；反應溫度0～35℃，清洗時間10S～300S。

7.如權利要求1所述的可同時實現拋光和制絨的單晶硅片的制備方法，其特征在于，S6中烘干為熱風烘干，烘干溫度50～85℃，烘干時間10S～600S。

8.如權利要求1所述的可同時實現拋光和制絨的單晶硅片的制備方法，其特征在于，S8中，清洗時的溶液為HF、HCL和去離子水的混合溶液，其中HF質量濃度為3％～20％，HCL質量濃度為3％～20％，處理溫度為5℃～20℃，處理時間10S～200S，腐蝕重量為0.02g～0.1g。