[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202010412371.6
• 申請日: 2020-05-15
• 公開（公告）號: CN111987091A
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 中村宏之
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置，其具有：

開關元件；以及

續流二極管，其與所述開關元件并聯連接，

所述開關元件在其表面之上具有與所述開關元件的主電極及控制電極絕緣的第1導電性圖案，

所述續流二極管在其表面之上具有與所述續流二極管的主電極絕緣的第2導電性圖案。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，還具有：

第1導線，其將所述開關元件的所述主電極與所述續流二極管的所述主電極連接；

第2導線，其將所述續流二極管的所述主電極與外部連接端子連接；以及

基準電位配線，其用于向驅動電路供給基準電位，該驅動電路向所述開關元件的所述控制電極輸入控制電壓。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

所述基準電位配線通過所述第1導電性圖案而與所述續流二極管的所述主電極連接。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

所述基準電位配線通過串聯連接的所述第1導電性圖案及所述第2導電性圖案而與所述外部連接端子連接。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

具有多個由所述開關元件與所述續流二極管形成的并聯電路，

多個所述并聯電路各自具有：

第1導線，其將所述開關元件的所述主電極與所述續流二極管的所述主電極連接；

第2導線，其將所述續流二極管的所述主電極與外部連接端子連接；以及

基準電位配線，其用于向驅動電路供給基準電位，該驅動電路向所述開關元件的所述控制電極輸入控制電壓，

就多個所述并聯電路各自而言，所述基準電位配線通過以下方法中的任意方法與所述開關元件的所述主電極電連接：

(a)與所述開關元件的所述主電極直接連接；

(b)通過所述第1導電性圖案而與所述續流二極管的所述主電極連接；

(c)通過所述第1導電性圖案及所述第2導電性圖案而與所述外部連接端子連接；以及

(d)通過外部配線而與所述外部連接端子連接。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置，其中，

具有傳遞模塑型的封裝件。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述開關元件是使用寬帶隙半導體而形成的。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述開關元件是IGBT或MOSFET。