[發明專利]量子點配體、量子點發光器件及制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202010412300.6 | 申請日: | 2020-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN111548785A | 公開(公告)日: | 2020-08-18 |
| 發明(設計)人: | 梅文海 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | C09K11/02 | 分類號: | C09K11/02;C09K11/88;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;H01L27/32;B82Y20/00;B82Y30/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 量子 點配體 發光 器件 制備 方法 顯示裝置 | ||
本發明提供一種量子點配體、量子點發光器件及制備方法、顯示裝置,量子點配體包括:聚酰亞胺配體,所述聚酰亞胺配體中包括主鏈和支鏈,所述支鏈與所述主鏈連接,所述主鏈的末端連接有封端基團,所述支鏈的末端具有配位基團,所述配位基團與量子點可通過配位鍵連接,所述配位基團包括巰基、羧基或氨基中的至少一種。本發明的量子點配體,主鏈的末端連接有封端基團,配位基團與量子點可通過配位鍵連接,能夠減少量子點表面缺陷,量子點配體可以引入到量子點中,通過在量子點中引入聚酰亞胺結構,可以有效提升器件中量子點薄膜的機械穩定性和輻射光照穩定性,能夠提高器件的整體穩定性及性能,延長使用壽命,提高顯示效果。
技術領域
本發明涉及顯示領域,具體涉及一種量子點配體、量子點發光器件及制備方法、顯示裝置。
背景技術
量子點(quantum dot,QD)可以稱為半導體納米晶,是半徑小于或者接近波爾激子半徑的納米晶顆粒。量子點具有量子限域效應,受激發后可以發射熒光,而且量子點具有獨特的發光特性,例如激發峰寬,發射峰窄,發光光譜可調等性質,使得其在光電發光領域具有廣闊的應用前景。量子點發光二極管顯示器(quantum dot light emitting device,QLED)是將量子點作為發光層制備的器件,QLED具有色域高,自發光,啟動電壓低,響應速度快等優點。
在現在的器件中,經常通過配體交換引入一些配體結構來提升器件的性能,但是這些配體分子在器件工作狀態下容易受到器件溫度過高,光照輻射時間過長等因素的影響,使得器件中量子點薄膜的機械穩定性和輻射光照穩定性降低,導致器件的整體穩定性及性能下降,影響顯示效果。
發明內容
有鑒于此,本發明提供一種量子點配體、量子點發光器件及制備方法、顯示裝置,用以解決器件中的配體在器件工作狀態下容易受到器件溫度過高,光照輻射時間過長等因素的影響,使得器件中量子點薄膜的機械穩定性和輻射光照穩定性降低,導致器件的整體穩定性及性能下降,影響顯示效果。
為解決上述技術問題,本發明采用以下技術方案:
第一方面,根據本發明實施例的量子點配體,包括:
聚酰亞胺配體,所述聚酰亞胺配體中包括主鏈和支鏈,所述支鏈與所述主鏈連接,所述主鏈的末端連接有封端基團,所述支鏈的末端具有配位基團,所述配位基團與量子點可通過配位鍵連接,所述配位基團包括巰基、羧基或氨基中的至少一種。
其中,所述支鏈上具有結構單元,所述結構單元包括咔唑類基團、三苯胺類基團、吡啶類基團或聯苯類基團中的至少一種。
其中,所述封端基團包括乙炔基或環氧基中的至少一種。
其中,所述聚酰亞胺配體的分子量為1000-100000。
第二方面,根據本發明實施例的量子點發光器件,包括:
發光層,所述發光層中包括量子點和量子點配體,所述量子點配體包括聚酰亞胺配體,所述聚酰亞胺配體中包括主鏈和支鏈,所述支鏈與所述主鏈連接,所述主鏈的末端連接有封端基團,所述支鏈的末端具有配位基團,所述配位基團與所述量子點通過配位鍵連接,所述配位基團包括巰基、羧基或氨基中的至少一種。
其中,所述支鏈上具有結構單元,所述結構單元包括咔唑類基團、三苯胺類基團、吡啶類基團或聯苯類基團中的至少一種。
其中,所述封端基團包括乙炔基或環氧基中的至少一種。
其中,所述聚酰亞胺配體的分子量為1000-100000。
第三方面,根據本發明實施例的量子點發光器件的制備方法,包括:
在基板上旋涂量子點溶液;
利用上述實施例中所述的量子點配體的溶液處理旋涂的量子點溶液以形成發光層;
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