[發(fā)明專(zhuān)利]光掩膜版及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010412215.X
• 申請(qǐng)日: 2020-05-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113671788B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-09-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孔志能;張秀璇
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G03F1/38
• 分類(lèi)號(hào): G03F1/38
• 代理公司: 上海晨皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種光掩膜版，其特征在于，包括：

基底和位于所述基底上的遮光層，所述遮光層內(nèi)具有暴露所述基底表面的開(kāi)口；

阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述開(kāi)口的全部側(cè)壁以及所述遮光層遠(yuǎn)離所述基底的頂部表面，且所述阻擋層底部與所述基底相接觸，所述阻擋層的外表面在所述開(kāi)口的側(cè)壁和所述遮光層遠(yuǎn)離所述基底的頂部表面相交處呈弧形，所述遮光層為鉻層，所述阻擋層為氧化鉻層，且所述氧化鉻的厚度為5nm～10nm，所述氧化鉻層通過(guò)在溫度范圍為200℃～500℃，氧氣流量范圍為20sccm～50sccm；或者，溫度范圍為200℃～500℃，水蒸氣流量范圍為40sccm～100sccm的條件中氧化所述鉻層得到。

2.一種光掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底和位于所述基底上的遮光層；

在所述遮光層內(nèi)形成暴露所述基底表面的開(kāi)口；

形成覆蓋所述開(kāi)口的全部側(cè)壁以及所述遮光層遠(yuǎn)離所述基底的頂部表面的阻擋層，且所述阻擋層的底部與所述基底相接觸，所述阻擋層的外表面在所述開(kāi)口的側(cè)壁和所述遮光層遠(yuǎn)離所述基底的頂部表面相交處呈弧形，所述遮光層為鉻層，所述阻擋層為氧化鉻層，且所述氧化鉻的厚度為5nm～10nm，所述氧化鉻層通過(guò)氧化所述鉻層得到；

其中，形成所述氧化鉻層的方法包括：

在溫度范圍為200℃～500℃，氧氣流量范圍為20sccm～50sccm中形成；或者，在溫度范圍為200℃～500℃，水蒸氣流量范圍為40sccm～100sccm中形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述在所述遮光層內(nèi)形成暴露所述基底表面的開(kāi)口，包括：在所述遮光層上形成光刻膠層；對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，以形成圖案化的預(yù)開(kāi)口，所述預(yù)開(kāi)口暴露所述遮光層表面；通過(guò)所述預(yù)開(kāi)口對(duì)所述遮光層進(jìn)行刻蝕，以形成暴露所述基底表面的所述開(kāi)口。