[發明專利]一種減少莫桑石中針狀包裹體的莫桑石制備方法在審
| 申請號： | 202010411888.3 | 申請日： | 2020-05-15 |
| 公開（公告）號： | CN111501094A | 公開（公告）日： | 2020-08-07 |
| 發明（設計）人： | 楊培培;李祥彪 | 申請（專利權）人： | 南通大學 |
| 主分類號： | C30B23/00 | 分類號： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 許潔 |
| 地址： | 226000*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 減少 莫桑石中 針狀 包裹 莫桑石 制備 方法 | ||
1.一種減少莫桑石中針狀包裹體的莫桑石制備方法，其特征在于，包括下述步驟：
(1)使用的籽晶襯底由莫桑石晶體切割得到，所述莫桑石晶體襯底片晶面偏離[0001]方向大于30°角，生長面經過化學機械拋光；所述莫桑石晶體襯底片固定在石墨坩堝蓋內側面；
(2)將高純碳化硅原料放于石墨坩堝內底部，石墨坩堝蓋內側面襯底生長面與碳化硅原料相對，將石墨坩堝蓋與石墨坩堝擰緊密封，放入晶體生長爐中進行莫桑石生長；
(3)在莫桑石生長過程中，控制生長溫度在2000℃-2500℃，其中襯底溫度在2000℃-2100℃，原料區溫度在2300℃-2500℃，保持生長壓力為1×10-4Pa-6×104Pa之間，爐內氣壓通過惰性氣體控制；
(4)碳化硅原料在高溫下升華為生成硅、硅二碳、硅碳二等氣相形態，這些氣相組分在溫度梯度驅動下于低溫區的大偏角單晶襯底上生長成為莫桑石晶體。
2.如權利要求1所述的減少莫桑石中針狀包裹體的莫桑石制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中，所述莫桑石晶體襯底片晶面偏離[0001]方向在30°-90°角之間。
3.如權利要求1所述的減少莫桑石中針狀包裹體的莫桑石制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中，所述莫桑石晶體襯底片厚度為350μm-650μm 。
4.如權利要求1所述的減少莫桑石中針狀包裹體的莫桑石制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中，所述莫桑石晶體襯底片晶型為α型。
5.如權利要求1所述的減少莫桑石中針狀包裹體的莫桑石制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，所述高純碳化硅原料純度不低于99.99％。
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