[發明專利]一種絕緣金屬基板及其制備方法和應用有效
| 申請號： | 202010410998.8 | 申請日： | 2020-05-15 |
| 公開（公告）號： | CN111556649B | 公開（公告）日： | 2021-03-30 |
| 發明（設計）人： | 嚴學田;方建強 | 申請（專利權）人： | 上海林眾電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H05K1/03 | 分類號： | H05K1/03;H05K1/18;H05K3/00 |
| 代理公司： | 上海微策知識產權代理事務所(普通合伙) 31333 | 代理人： | 李萍 |
| 地址： | 201500 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 絕緣 金屬 及其 制備 方法 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種絕緣金屬基板，其特征在于，由上至下依次包括銅箔層、絕緣層和金屬基板；所述銅箔層、絕緣層和金屬基板的厚度比為1：(0.3-0.8)：(5-15)；所述銅箔的厚度為0.2-0.8mm；所述絕緣層的制備原料包括陶瓷顆粒和環氧樹脂；
所述陶瓷顆粒和環氧樹脂的重量比為(5-15)：1
所述陶瓷顆粒為氧化鋁和氧化鋯的組合，重量比為(10-50)：1；
所述氧化鋁為粒徑為20μm、30μm和50μm氧化鋁的組合，重量比為1：(1-5)：(1-5)；
所述氧化鋯為粒徑為20μm、30μm和50μm氧化鋯的組合，重量比為1：(1-5)：(1-5)。
2.根據權利要求1所述的絕緣金屬基板，其特征在于，所述金屬基層的材質選自銅、銀、鋁、鎳、銅合金和鋁合金中的至少一種。
3.一種根據權利要求1-2任一項所述的絕緣金屬基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：將銅箔層、絕緣層和金屬基層通過壓合工藝制得。
4.一種根據權利要求1-2任一項所述的絕緣金屬基板的應用，其特征在于，應用于IGBT功率模塊領域。
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