[發明專利]一種彩膜基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 202010410958.3
• 申請日: 2020-05-15
• 公開（公告）號: CN111584581B
• 公開（公告）日: 2022-11-01
• 發明（設計）人: 王雷
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

1.一種彩膜基板，其特征在于，包括：

襯底基板；

平坦層，設于所述襯底基板上；

黑矩陣層，設于所述平坦層上，具有多個間隔排列的黑矩陣單元，相鄰的兩個黑矩陣單元與所述平坦層的表面形成一凹槽，所述黑矩陣單元的側壁具有微結構；以及

彩膜層，填充于所述凹槽，所述彩膜層在所述黑矩陣單元中的微結構中形成接觸角，所述接觸角的角度為20-35°。

2.根據權利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，

所述凹槽具有一斜面，所述斜面與所述平坦層的表面形成一坡度角；

所述微結構形成于所述斜面。

3.根據權利要求2所述的彩膜基板，其特征在于，

所述坡度角小于50°。

4.一種彩膜基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一襯底基板；

形成一平坦層于所述襯底基板的上表面；

形成一黑矩陣層于所述平坦層上，并對所述黑矩陣層圖案化處理，使得所述黑矩陣層具有多個間隔排列的黑矩陣單元，相鄰的兩個黑矩陣單元與所述平坦層的表面形成一凹槽；

通過刻蝕氣體對所述凹槽的內壁進行刻蝕處理，使得所述黑矩陣單元的側壁具有微結構；以及

形成一彩膜層于所述凹槽內，所述彩膜層在所述黑矩陣單元中的微結構中形成接觸角，所述接觸角的角度為20-35°。

5.根據權利要求4所述的彩膜基板的制備方法，其特征在于，

所述形成一黑矩陣層于所述平坦層上的步驟中，

對所述黑矩陣層進行圖案化處理，所述凹槽具有一斜面，所述斜面與所述平坦層的表面形成一坡度角。

6.根據權利要求5所述的彩膜基板的制備方法，其特征在于，

所述坡度角小于50°。

7.根據權利要求4所述的彩膜基板的制備方法，其特征在于，

所述刻蝕氣體為CF₄+O₂等離子體或者O₂等離子體。

8.根據權利要求4所述的彩膜基板的制備方法，其特征在于，

所述形成一彩膜層于所述凹槽內的步驟中，

采用噴墨打印的方式在所述凹槽內打印光阻材料形成所述彩膜層。

9.一種顯示裝置，包括如權利要求1-3任一項所述的彩膜基板。