[發明專利]晶圓片的激光全切割方法有效
| 申請號: | 202010410175.5 | 申請日: | 2020-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN111299866B | 公開(公告)日: | 2020-09-08 |
| 發明(設計)人: | 何國洪 | 申請(專利權)人: | 佛山市聯動科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/78;B23K26/38;B23K26/402;B23K26/146;B23K26/70;B23K37/04 |
| 代理公司: | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人: | 謝泳祥 |
| 地址: | 528000 廣東省佛山市南海區羅*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓片 激光 切割 方法 | ||
1.晶圓片的激光全切割方法,其特征在于:包括如下步驟:
A、校準測量晶圓片的重心點;
B、根據步驟A中確定的重心點,對晶圓片進行裝片;
C、對晶圓片的吸附位置進行檢測定位;
D、在晶圓片表面均勻涂覆冷卻液;
E、利用激光在晶圓片的表面劃出割槽,所述割槽的深度為10μm~15μm;
F、再次均化晶圓片表面的冷卻液;
G、調整激光的參數,同時對激光光束進行整形,使得激光光束具有刃部,利用刃部沿著割槽將晶圓片進行全切割。
2.根據權利要求1所述的晶圓片的激光全切割方法,其特征在于:所述步驟E中,激光的功率為3W~3.5W,頻率為38Khz~45 Khz,脈沖寬度為2.5ns~3.5ns,加工速度為400mm/s~500mm/s;所述步驟G中,激光的功率為5.5W~6.5W,頻率為110Khz~130 Khz,脈沖寬度為2.5ns~3.5ns,加工速度為150mm/s~250 mm/s。
3.根據權利要求1所述的晶圓片的激光全切割方法,其特征在于:所述步驟G中,經整形后的激光光束的橫截面為等腰三角形,所述刃部位于所述等腰三角形的尖端。
4.根據權利要求1所述的晶圓片的激光全切割方法,其特征在于:所述步驟D中,所述冷卻液的pH 值為9.5 ± 0.5、比重為1.10 ± 0.10 g/ml、表面張力為≤25 dyn/cm、消泡性為≤1.8 ml/min。
5.根據權利要求4所述的晶圓片的激光全切割方法,其特征在于:所述步驟D中,包括如下的步驟:D1、所述冷卻液以晶圓片的重心為圓心,在晶圓片的表面點畫出有若干個同心圓環;D2、轉動所述的晶圓片,使得冷卻液在離心力的作用下沿著晶圓片的表面流動;D3、靜置所述的晶圓片,使得冷卻液停止流動,從而使得冷卻液均勻分布在晶圓片的表面。
6.根據權利要求5所述的晶圓片的激光全切割方法,其特征在于:所述步驟F中,同樣通過轉動所述的晶圓片,使得冷卻液再次進行均化。
7.根據權利要求1所述的晶圓片的激光全切割方法,其特征在于:所述步驟B中,利用真空吸盤對晶圓片進行裝片固定。
8.根據權利要求7所述的晶圓片的激光全切割方法,其特征在于:所述晶圓片的底面還設有連接層,所述真空吸盤對連接層進行真空吸附,所述步驟G中,所述激光光束的切割深度超過晶圓片的底面但不超過連接層的底面。
9.根據權利要求1-8任意一項所述的晶圓片的激光全切割方法,其特征在于:所述步驟G后,還包括步驟H:利用離子水對分隔后的晶圓片進行清洗,清洗后進行干燥。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





