[發明專利]蝕刻裝置

在審

• 申請號: 202010408986.1
• 申請日: 2020-05-14
• 公開（公告）號: CN111952220A
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 杉崎太亮;明渡邦夫;野田浩司;石井榮子;中嵨健次
• 申請（專利權）人: 株式會社電裝
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/04;C30B29/06;C30B33/04;C30B33/10
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何沖

本發明提供能夠控制蝕刻后的半導體晶片的表面粗糙度的技術。蝕刻裝置通過光電化學蝕刻對半導體晶片進行蝕刻。蝕刻裝置具有貯存槽、支撐件、光源、電極、以及電源。貯存槽貯存蝕刻液。支撐件在半導體晶片的第一表面浸漬在蝕刻液中的狀態下支撐半導體晶片。光源向被支撐件支撐的半導體晶片的第一表面照射光。電極配置在貯存槽內。電源在被支撐件支撐的半導體晶片與電極之間流過電流，該電流在第一電流值與大于第一電流值的第二電流值之間變化。

技術領域

本說明書公開的技術涉及蝕刻裝置。特別地，本說明書公開的技術涉及對半導體晶片進行光電化學蝕刻的蝕刻裝置。

背景技術

專利文獻1中公開了一種通過光電化學蝕刻對半導體晶片進行蝕刻的蝕刻裝置。該蝕刻裝置具有：貯存槽，其貯存蝕刻液；載置臺，其在半導體晶片被浸漬在蝕刻液中的狀態下載置半導體晶片；光源，其將光照射到載置在載置臺上的半導體晶片的表面；電極，其配置在貯存槽內；以及電源，其在載置的半導體晶片與電極之間流過電流。

在對半導體晶片進行蝕刻時，在半導體晶片與電極之間流過電流的狀態下，將光照射到半導體晶片。于是，半導體晶片的價帶的電子被激發，越過帶隙移動到導帶。被激發的電子從半導體晶片經由電源朝向電極移動。在被光照射的范圍內的半導體晶片的表面，由于電子的移動而產生空穴。通過產生的空穴與蝕刻液反應，使得半導體晶片的表面被氧化。然后，半導體晶片的被氧化的部分溶解在蝕刻液中。像這樣，通過被光照射的范圍內的半導體晶片的反復氧化和溶解，能夠對半導體晶片進行蝕刻。

專利文獻1：日本特開2017-212262號公報

發明內容

專利文獻1的蝕刻裝置雖然能夠蝕刻半導體晶片的表面，但是難以控制蝕刻后的半導體晶片的表面粗糙度。本說明書提供一種能夠控制蝕刻后的半導體晶片的表面粗糙度的技術。

本說明書所公開的蝕刻裝置通過光電化學蝕刻對半導體晶片進行蝕刻。所述蝕刻裝置具有貯存槽、支撐件、光源、電極、以及電源。所述貯存槽貯存蝕刻液。所述支撐件在所述半導體晶片的第一表面浸漬在所述蝕刻液中的狀態下支撐所述半導體晶片。所述光源向被所述支撐件支撐的所述半導體晶片的所述第一表面照射光。所述電極配置在所述貯存槽內。所述電源在被所述支撐件支撐的所述半導體晶片與所述電極之間流過電流，該電流在第一電流值和大于所述第一電流值的第二電流值之間變化。

在上述蝕刻裝置中，電源一邊使電流值在第一電流值和第二電流值之間變化，一邊在半導體晶片與電極之間流過電流。通過以該方式使電流值變化，與電流值恒定的情況相比，蝕刻后的表面粗糙度發生變化。根據電流值的波形，能夠降低或提高蝕刻后的表面粗糙度。如上所述，上述蝕刻裝置能夠控制蝕刻后的半導體晶片的表面粗糙度。

附圖說明

圖1是實施例1的蝕刻裝置10的示意圖。

圖2是示出實施例1的電源22在半導體晶片12中流過的電流的波形的圖。

圖3是由實施例1的蝕刻裝置10蝕刻后的半導體晶片12的第一表面12a附近的剖面圖。

圖4是示出實施例2的電源22在半導體晶片12中流過的電流的波形的圖。

圖5是由實施例2的蝕刻裝置蝕刻后的半導體晶片12的第一表面12a附近的剖面圖。

圖6是示出實施例3的電源22在半導體晶片12中流過的電流的波形的圖。

圖7是由實施例3的蝕刻裝置蝕刻后的半導體晶片12的第一表面12a附近的剖面圖。

圖8是由對比例的蝕刻裝置蝕刻后的半導體晶片12的第一表面12a附近的剖面圖。

圖9是示出對比例的電源在半導體晶片12中流過的波形的圖。

具體實施方式

(實施例1)